品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU8401
仓库库存编号:
IRAUIRFU8401-ND
别名:IRAUIRFU8401
SP001518756
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26.7A (Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R190CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R190CEXKSA1-ND
别名:SP001391612
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF540ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF540ZSTRL-ND
别名:SP001516510
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 55V 69A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 69A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFZ48N
仓库库存编号:
AUIRFZ48N-ND
别名:SP001518286
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI60R190C6XKSA1-ND
别名:IPI60R190C6
IPI60R190C6-ND
SP000660618
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA15N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA15N65C3XKSA1-ND
别名:SP000293730
SPA15N65C3
SPA15N65C3-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI15N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI15N65C3XKSA1-ND
别名:SP000681002
SPI15N65C3
SPI15N65C3-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
94-2386
仓库库存编号:
94-2386-ND
别名:*IRFZ44NS
IRFZ44NS
IRFZ44NS-ND
SP001520076
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
94-4582
仓库库存编号:
94-4582-ND
别名:*IRF5305S
IRF5305S
IRF5305S-ND
SP001520922
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5305
仓库库存编号:
IRFU5305-ND
别名:*IRFU5305
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ44NL
仓库库存编号:
IRFZ44NL-ND
别名:*IRFZ44NL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5305STRR
仓库库存编号:
IRF5305STRR-ND
别名:Q971401A
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF5305L
仓库库存编号:
IRF5305L-ND
别名:*IRF5305L
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305TRL
仓库库存编号:
IRFR5305TRL-ND
别名:SP001557064
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305TRR
仓库库存编号:
IRFR5305TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ44NSTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRF540ZS
仓库库存编号:
IRF540ZS-ND
别名:*IRF540ZS
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 36A(Tc) 92W(Tc) TO-262
型号:
IRF540ZL
仓库库存编号:
IRF540ZL-ND
别名:*IRF540ZL
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRF540ZSTRL
仓库库存编号:
IRF540ZSTRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRF540ZSTRR
仓库库存编号:
IRF540ZSTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 36A(Tc) 92W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540Z
仓库库存编号:
IRF540Z-ND
别名:*IRF540Z
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI15N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI15N60C3HKSA1-ND
别名:SP000014528
SP000680998
SPI15N60C3
SPI15N60C3-ND
SPI15N60C3IN
SPI15N60C3IN-ND
SPI15N60C3X
SPI15N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305CPBF
仓库库存编号:
IRFR5305CPBF-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 55V 31A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) TO-262
型号:
IRF5305LPBF
仓库库存编号:
IRF5305LPBF-ND
别名:SP001574828
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP15N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP15N65C3HKSA1-ND
别名:SP000294824
SP000681054
SPP15N65C3
SPP15N65C3-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 63nC @ 10V,
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