品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 2.5W(Ta),6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4156DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4156DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4156DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5403DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5403DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5403DC-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS402DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS402DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS402DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 5.9W(Tc) 8-SO
型号:
SI4455DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4455DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4455DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASPBF
仓库库存编号:
IRFBC40ASPBF-ND
别名:*IRFBC40ASPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4490DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4490DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4490DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.9A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7115DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7115DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7115DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.9A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7115DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7115DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7115DN-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR402DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR402DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR402DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),44.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR878ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR878ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR878ADP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 3.1W(Ta),5.9W(Tc)
型号:
SI4455DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4455DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4455DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40APBF
仓库库存编号:
IRFBC40APBF-ND
别名:*IRFBC40APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7450DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7450DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7450DP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7450DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7450DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7450DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4490DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4490DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4490DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12.6A(Tc) 4.8W(Tc) 8-SOIC
型号:
SI4435FDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4435FDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4435FDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 95A (Tc) 50W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号:
SQJQ906E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ906E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ906E-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.2A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4668DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4668DY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4668DY-T1-GE3TR
SI4668DYT1GE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.2A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4668DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4668DY-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRLPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRRPBF
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRRPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40A
仓库库存编号:
IRFBC40A-ND
别名:*IRFBC40A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40AS
仓库库存编号:
IRFBC40AS-ND
别名:*IRFBC40AS
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40AL
仓库库存编号:
IRFBC40AL-ND
别名:*IRFBC40AL
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBC40ASTRL
仓库库存编号:
IRFBC40ASTRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
含铅
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