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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta),14A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) Power56
型号:
FDMS2734
仓库库存编号:
FDMS2734CT-ND
别名:FDMS2734CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta),20A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) Power56
型号:
FDMS2672
仓库库存编号:
FDMS2672CT-ND
别名:FDMS2672CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.8A(Ta),18A(Tc) 2.3W(Ta),36W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC7672S
仓库库存编号:
FDMC7672SCT-ND
别名:FDMC7672SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.8A (Ta) 2.3W(Ta),36W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC7672S_F126
仓库库存编号:
FDMC7672S_F126CT-ND
别名:FDMC7672S_F126CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.8A (Ta) 2.3W(Ta),31W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC7680
仓库库存编号:
FDMC7680CT-ND
别名:FDMC7680CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS5680
仓库库存编号:
FDS5680CT-ND
别名:FDS5680CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 28A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),60A(Tc) 3.3W(Ta),59W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS8570SDC
仓库库存编号:
FDMS8570SDCCT-ND
别名:FDMS8570SDCCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Ta),28A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS86200DC
仓库库存编号:
FDMS86200DCCT-ND
别名:FDMS86200DCCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),58A(Tc) 135W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB16AN08A0
仓库库存编号:
FDB16AN08A0CT-ND
别名:FDB16AN08A0CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta),58A(Tc) 135W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP16AN08A0
仓库库存编号:
FDP16AN08A0FS-ND
别名:FDP16AN08A0-ND
FDP16AN08A0FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 26A(Ta) 1.75W(Ta),45W(Tc) TO-220
型号:
2SK3826
仓库库存编号:
2SK3826-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 42nC @ 10V,
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