品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.4A(Tc) 176W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R180P6AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R180P6AUMA1CT-ND
别名:IPL60R180P6AUMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3910TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3910PBFCT-ND
别名:*IRFR3910TRPBF
IRFR3910PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.1A(Tc) 208.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R250C6XTMA1
仓库库存编号:
IPD65R250C6XTMA1CT-ND
别名:IPD65R250C6XTMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI530NPBF
仓库库存编号:
IRFI530NPBF-ND
别名:*IRFI530NPBF
SP001554868
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R160P6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R160P6XKSA1-ND
别名:SP001017082
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R160P6FKSA1
仓库库存编号:
IPW60R160P6FKSA1-ND
别名:SP001017092
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR2905Z
仓库库存编号:
AUIRFR2905Z-ND
别名:SP001518150
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2905ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR2905ZPBFCT-ND
别名:*IRFR2905ZTRPBF
IRFR2905ZPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0901NS
仓库库存编号:
BSC0901NSCT-ND
别名:BSC0901NSCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7820TRPBF
仓库库存编号:
IRF7820TRPBFCT-ND
别名:IRF7820TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta). 40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ019N03LS
仓库库存编号:
BSZ019N03LSCT-ND
别名:BSZ019N03LSCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7341QTR
仓库库存编号:
AUIRF7341QCT-ND
别名:AUIRF7341QCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.4A(Ta),90A(Tc) 156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N10NSFGATMA1
仓库库存编号:
BSC100N10NSFGATMA1CT-ND
别名:BSC100N10NSF GCT
BSC100N10NSF GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3910PBF
仓库库存编号:
IRFU3910PBF-ND
别名:*IRFU3910PBF
64-4139PBF
64-4139PBF-ND
SP001578380
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R160P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R160P6XKSA1-ND
别名:SP001017068
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR2905ZTRL
仓库库存编号:
AUIRFR2905ZTRL-ND
别名:SP001520228
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 107W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD033N06NATMA1
仓库库存编号:
IPD033N06NATMA1-ND
别名:SP001602182
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7341GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7341GTRPBF-ND
别名:SP001563394
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 69A(Tc) 36W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA040N06NXKSA1
仓库库存编号:
IPA040N06NXKSA1-ND
别名:SP001196264
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R160P6ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R160P6ATMA1-ND
别名:SP001313876
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI530N
仓库库存编号:
IRFI530N-ND
别名:*IRFI530N
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3910TRL
仓库库存编号:
IRFR3910TRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 16A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3910
仓库库存编号:
IRFU3910-ND
别名:*IRFU3910
SP001578418
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3910TRR
仓库库存编号:
IRFR3910TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 1W Surface Mount 8-TSSOP
型号:
IRF7751
仓库库存编号:
IRF7751-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 44nC @ 10V,
含铅
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