规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34.8nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD09P10-195-GE3
仓库库存编号:
SUD09P10-195-GE3CT-ND
别名:SUD09P10-195-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34.8nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 70A(Tc) 88W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN3R0-30MLC,115
仓库库存编号:
1727-7141-1-ND
别名:1727-7141-1
568-9574-1
568-9574-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34.8nC @ 10V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
JAN2N6849
仓库库存编号:
JAN2N6849-ND
别名:JAN2N6849-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34.8nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JAN2N6849U
仓库库存编号:
JAN2N6849U-ND
别名:JAN2N6849U-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34.8nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 6.5A
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
JANTXV2N6849
仓库库存编号:
JANTXV2N6849-ND
别名:JANTXV2N6849-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34.8nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 6.5A
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTXV2N6849U
仓库库存编号:
JANTXV2N6849U-ND
别名:JANTXV2N6849U-MIL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34.8nC @ 10V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
2N6849
仓库库存编号:
2N6849-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34.8nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18-LCC
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
2N6849U
仓库库存编号:
2N6849U-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34.8nC @ 10V,
含铅
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