品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1004PBF
仓库库存编号:
IRL1004PBF-ND
别名:*IRL1004PBF
SP001567104
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1004
仓库库存编号:
IRL1004-ND
别名:*IRL1004
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004S
仓库库存编号:
IRL1004S-ND
别名:*IRL1004S
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRL1004L
仓库库存编号:
IRL1004L-ND
别名:*IRL1004L
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRL
仓库库存编号:
IRL1004STRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRR
仓库库存编号:
IRL1004STRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 10A(Tc) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7701
仓库库存编号:
IRF7701-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 10A(Tc) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7701TR
仓库库存编号:
IRF7701TR-ND
别名:SP001575290
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRL1004LPBF
仓库库存编号:
IRL1004LPBF-ND
别名:*IRL1004LPBF
SP001557916
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7701GTRPBF
仓库库存编号:
IRF7701GTRPBFCT-ND
别名:IRF7701GTRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
IRF7701TRPBF
仓库库存编号:
IRF7701TRPBFCT-ND
别名:IRF7701TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 130A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL1004STRLPBF
仓库库存编号:
IRL1004STRLPBFCT-ND
别名:IRL1004STRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 4.5V,
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