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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40PBF
仓库库存编号:
IRFBC40PBF-ND
别名:*IRFBC40PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 40W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA08N80C3
仓库库存编号:
SPA08N80C3IN-ND
别名:SP000216310
SPA08N80C3IN
SPA08N80C3X
SPA08N80C3XK
SPA08N80C3XKSA1
SPA08N80C3XTIN
SPA08N80C3XTIN-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6020ENX
仓库库存编号:
R6020ENX-ND
别名:R6020ENXCT
R6020ENXCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 239W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA18N50
仓库库存编号:
FDA18N50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP48N20T
仓库库存编号:
IXTP48N20T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 230W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA80N10T
仓库库存编号:
IXTA80N10T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12.5A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP13N50
仓库库存编号:
FQP13N50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 52A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 52A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP52P10P
仓库库存编号:
IXTP52P10P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 290W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT8M100B
仓库库存编号:
APT8M100B-ND
别名:APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX300N20
仓库库存编号:
RCX300N20-ND
别名:RCX300N20CT
RCX300N20CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 22A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX220N25
仓库库存编号:
RCX220N25-ND
别名:RCX220N25CT
RCX220N25CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP08N80C3
仓库库存编号:
SPP08N80C3IN-ND
别名:SP000013704
SP000683156
SPP08N80C3IN
SPP08N80C3X
SPP08N80C3XK
SPP08N80C3XKSA1
SPP08N80C3XTIN
SPP08N80C3XTIN-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3-31 整包
型号:
SPA11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60C3XKSA1-ND
别名:SP000216312
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.8A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC40PBF
仓库库存编号:
IRFPC40PBF-ND
别名:*IRFPC40PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 180W(Tc) TO-247
型号:
TK25N60X5,S1F
仓库库存编号:
TK25N60X5S1F-ND
别名:TK25N60X5,S1F(S
TK25N60X5S1F
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 180W(Tc) TO-220
型号:
TK25E60X5,S1X
仓库库存编号:
TK25E60X5S1X-ND
别名:TK25E60X5,S1X(S
TK25E60X5S1X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT11N80BC3G
仓库库存编号:
APT11N80BC3G-ND
别名:APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP77N06S212AKSA2
仓库库存编号:
IPP77N06S212AKSA2-ND
别名:SP001061292
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP45NQ11T,127
仓库库存编号:
1727-4650-ND
别名:1727-4650
568-5767
568-5767-5
568-5767-5-ND
568-5767-ND
934058294127
PHP45NQ11T
PHP45NQ11T,127-ND
PHP45NQ11T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 80W(Tc) D-Pak
型号:
STD35NF06T4
仓库库存编号:
497-3159-1-ND
别名:497-3159-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB55NF06T4
仓库库存编号:
497-6553-1-ND
别名:497-6553-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 27A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Ta),108A(Tc) 2.9W(Ta),56W(Tc) Dual Cool ? 33
型号:
FDMC8321LDC
仓库库存编号:
FDMC8321LDCCT-ND
别名:FDMC8321LDCCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 22A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
RCJ220N25TL
仓库库存编号:
RCJ220N25TLCT-ND
别名:RCJ220N25TLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6020ENJTL
仓库库存编号:
R6020ENJTLCT-ND
别名:R6020ENJTLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 143W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB10N50CFTM_WS
仓库库存编号:
FQB10N50CFTM_WSCT-ND
别名:FQB10N50CFTM_WSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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