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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA38N30
仓库库存编号:
FDA38N30-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),94A(Tc) 80W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8896
仓库库存编号:
FDD8896CT-ND
别名:FDD8896CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF18N50T
仓库库存编号:
FDPF18N50T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 235W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP18N50
仓库库存编号:
FDP18N50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 235W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA24N40F
仓库库存编号:
FDA24N40F-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 170W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP22N30
仓库库存编号:
FQP22N30-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 24A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 227W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP24N40
仓库库存编号:
FDP24N40-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86103L
仓库库存编号:
FDMS86103LCT-ND
别名:FDMS86103LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 36W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF260N65FL1
仓库库存编号:
FCPF260N65FL1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 170W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP17N40
仓库库存编号:
FQP17N40-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 26A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 265W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP26N40
仓库库存编号:
FDP26N40-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 239W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA18N50
仓库库存编号:
FDA18N50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12.5A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP13N50
仓库库存编号:
FQP13N50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 27A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Ta),108A(Tc) 2.9W(Ta),56W(Tc) Dual Cool ? 33
型号:
FDMC8321LDC
仓库库存编号:
FDMC8321LDCCT-ND
别名:FDMC8321LDCCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 143W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB10N50CFTM_WS
仓库库存编号:
FQB10N50CFTM_WSCT-ND
别名:FQB10N50CFTM_WSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 12A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF22N30
仓库库存编号:
FQPF22N30-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF17N40T
仓库库存编号:
FQPF17N40T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF18N50
仓库库存编号:
FDPF18N50-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 139W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF644B_FP001
仓库库存编号:
IRF644B_FP001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS8410
仓库库存编号:
NDS8410CT-ND
别名:NDS8410CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) I-Pak
型号:
NTD32N06-001
仓库库存编号:
NTD32N06-001OS-ND
别名:NTD32N06-001OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 32A(Ta) 1.5W(Ta),93.75W(Tj) DPAK
型号:
NTD32N06T4G
仓库库存编号:
NTD32N06T4GOS-ND
别名:NTD32N06T4GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4410DY
仓库库存编号:
SI4410DYFSCT-ND
别名:SI4410DYCT
SI4410DYCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 17A(Ta),94A(Tc) 80W(Tc) TO-251
型号:
FDU8896
仓库库存编号:
FDU8896-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 17A(Ta),35A(Tc) 80W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU068AN03L
仓库库存编号:
FDU068AN03L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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