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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 36V 23A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 36V 23A(Ta) 4.2W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4312
仓库库存编号:
785-1547-1-ND
别名:785-1547-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 10A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4448L
仓库库存编号:
AO4448L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.6A(Ta),51A(Tc) 2.5W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB414_001
仓库库存编号:
AOB414_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
94-4762
仓库库存编号:
94-4762-ND
别名:*IRFR4105
IRFR4105
IRFR4105-ND
SP001516332
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 21A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ34E
仓库库存编号:
IRFIZ34E-ND
别名:*IRFIZ34E
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7316TR
仓库库存编号:
IRF7316TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7321D2
仓库库存编号:
IRF7321D2-ND
别名:*IRF7321D2
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7321D2TR
仓库库存编号:
IRF7321D2TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NS
仓库库存编号:
IRFZ34NS-ND
别名:*IRFZ34NS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ34NSTRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4105
仓库库存编号:
IRFU4105-ND
别名:*IRFU4105
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ34NL
仓库库存编号:
IRFZ34NL-ND
别名:*IRFZ34NL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TRL
仓库库存编号:
IRFR4105TRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TR
仓库库存编号:
IRFR4105TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4105TRR
仓库库存编号:
IRFR4105TRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 29A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ34NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ34NLPBF-ND
别名:*IRFZ34NLPBF
SP001557826
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4105PBF
仓库库存编号:
IRFU4105PBF-ND
别名:*IRFU4105PBF
SP001567818
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.7A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7321D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7321D2PBFCT-ND
别名:*IRF7321D2TRPBF
IRF7321D2PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7316QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7316QTRPBFCT-ND
别名:IRF7316QTRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),63A(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF045N03MQ3 G
仓库库存编号:
BSF045N03MQ3 G-ND
别名:SP000458790
SP000597844
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K0C3
IPI90R1K0C3-ND
SP000413722
SP000683078
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP065N04N G
仓库库存编号:
IPP065N04N G-ND
别名:IPP065N04NG
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 20A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR4105
仓库库存编号:
AUIRFR4105-ND
别名:SP001522204
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34V 17A(Ta),85A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC884N03MS G
仓库库存编号:
BSC884N03MS GCT-ND
别名:BSC884N03MS GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7316Q
仓库库存编号:
AUIRF7316Q-ND
别名:SP001522678
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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