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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 85W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76423D3
仓库库存编号:
HUFA76423D3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 85W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76423D3S
仓库库存编号:
HUFA76423D3S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 85W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76423D3ST
仓库库存编号:
HUFA76423D3ST-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 85W(Tc) TO-251AA
型号:
HUF76423D3
仓库库存编号:
HUF76423D3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 35A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76423P3
仓库库存编号:
HUFA76423P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 35A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 35A(Tc) 85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76423S3S
仓库库存编号:
HUFA76423S3S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 35A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 35A(Tc) 85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76423S3ST
仓库库存编号:
HUFA76423S3ST-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.4A(Ta),37A(Tc) 72W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD5810
仓库库存编号:
FDD5810CT-ND
别名:FDD5810CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Tc) 139W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT1003RKLLG
仓库库存编号:
APT1003RKLLG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 50A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP50N085T
仓库库存编号:
IXTP50N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 50A(Tc) 130W(Tc) TO-252
型号:
IXTY50N085T
仓库库存编号:
IXTY50N085T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5480DU-T1-E3
仓库库存编号:
SI5480DU-T1-E3CT-ND
别名:SI5480DU-T1-E3CT
SI5480DUT1E3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),18A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) Power33
型号:
FDMC8678S
仓库库存编号:
FDMC8678SCT-ND
别名:FDMC8678SCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8A02-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8A02-H(TE12L,Q)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 30A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8018-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8018-H(TE12LQM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
详细描述:通孔 N 沟道 450V 13A(Ta) 100W(Tc) TO-220FL
型号:
2SK3403(Q)
仓库库存编号:
2SK3403(Q)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 40A(Ta) 40W(Tc) ATPAK
型号:
ATP102-TL-H
仓库库存编号:
869-1073-1-ND
别名:869-1073-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4452
仓库库存编号:
785-1200-1-ND
别名:785-1200-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 53A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 8.5A(Ta),53A(Tc) 2.5W(Ta),100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4182
仓库库存编号:
785-1220-1-ND
别名:785-1220-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 33A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9A(Ta),33A(Tc) 3.1W(Ta),42W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7444
仓库库存编号:
785-1234-1-ND
别名:785-1234-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5480DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5480DU-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 40V 20A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 20A(Tc) 1.2W(Ta),38W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP20P04SLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP20P04SLG-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 20A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 20A(Tc) 1.2W(Ta),38W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
NP20P06SLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP20P06SLG-E1-AY-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 31A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 31A(Ta),50A(Tc) 6.2W(Ta),83W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
型号:
AON7784
仓库库存编号:
785-1405-1-ND
别名:785-1405-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 6.5A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 60V 6.5A(Ta),30A(Tc) 2.5W(Ta),52W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4130
仓库库存编号:
AOI4130-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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