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IXYS
MOSFET N-CH 150V 56A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA56N15T
仓库库存编号:
IXTA56N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 56A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP56N15T
仓库库存编号:
IXTP56N15T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD60N10S412ATMA1
仓库库存编号:
IPD60N10S412ATMA1-ND
别名:SP001102936
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7316QTR
仓库库存编号:
AUIRF7316QTR-ND
别名:SP001518472
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFZ34N
仓库库存编号:
AUIRFZ34N-ND
别名:SP001521138
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPP90R1K0C3
IPP90R1K0C3-ND
SP000413744
SP000683094
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K0C3FKSA1
仓库库存编号:
IPW90R1K0C3FKSA1-ND
别名:IPW90R1K0C3
IPW90R1K0C3-ND
SP000413752
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 17A(Tc) 103W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R125C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R125C7AUMA1-ND
别名:SP001385066
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 19A(Tc) 92W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R120C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R120C7ATMA1-ND
别名:SP001385048
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R120C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R120C7XKSA1-ND
别名:SP001385040
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19A(Tc) 92W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R120C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R120C7XKSA1-ND
别名:SP001385054
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 19A(Tc) 92W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R120C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R120C7XKSA1-ND
别名:SP001385060
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 620V 5.5A(Tc) 90W(Tc) D2PAK
型号:
STB6N62K3
仓库库存编号:
STB6N62K3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STULED656
仓库库存编号:
497-13981-5-ND
别名:497-13981-5
STULED656-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z34
仓库库存编号:
IRF9Z34-ND
别名:*IRF9Z34
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34S
仓库库存编号:
IRF9Z34S-ND
别名:*IRF9Z34S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRL
仓库库存编号:
IRF9Z34STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 12A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z34G
仓库库存编号:
IRFI9Z34G-ND
别名:*IRFI9Z34G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRR
仓库库存编号:
IRF9Z34STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 3.8W(Ta),88W(Tc) I2PAK
型号:
IRF634NLPBF
仓库库存编号:
IRF634NLPBF-ND
别名:*IRF634NLPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 3.8W(Ta),88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF634NPBF
仓库库存编号:
IRF634NPBF-ND
别名:*IRF634NPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8A(Tc) 3.8W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634NSPBF
仓库库存编号:
IRF634NSPBF-ND
别名:*IRF634NSPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6A(Ta) 700mW(Ta) VS-8 (2.9x1.5)
型号:
TPCF8104(TE85L,F,M
仓库库存编号:
TPCF8104FMCT-ND
别名:TPCF8104FCT
TPCF8104FCT-ND
TPCF8104FMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 29A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 150V 4A(Ta),29A(Tc) 135W(Tc) TO-251AA
型号:
FDU2572
仓库库存编号:
FDU2572-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 85W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76423D3S
仓库库存编号:
HUF76423D3S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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