品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL9110TRPBF
仓库库存编号:
IRFL9110PBFCT-ND
别名:*IRFL9110TRPBF
IRFL9110PBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9110PBFCT-ND
别名:*IRFR9110TRPBF
IRFR9110PBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9510STRLPBFCT-ND
别名:IRF9510STRLPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 700mA(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9110PBF
仓库库存编号:
IRFD9110PBF-ND
别名:*IRFD9110PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 4A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9510PBF
仓库库存编号:
IRF9510PBF-ND
别名:*IRF9510PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9110PBF
仓库库存编号:
IRFU9110PBF-ND
别名:*IRFU9110PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR9110TRLPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR9110TRRPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 4A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9510
仓库库存编号:
IRF9510-ND
别名:*IRF9510
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 700mA(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9110
仓库库存编号:
IRFD9110-ND
别名:*IRFD9110
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510S
仓库库存编号:
IRF9510S-ND
别名:*IRF9510S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1.1A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL9110
仓库库存编号:
IRFL9110-ND
别名:*IRFL9110
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1.1A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL9110TR
仓库库存编号:
IRFL9110TR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110
仓库库存编号:
IRFR9110-ND
别名:*IRFR9110
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TR
仓库库存编号:
IRFR9110TR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TRL
仓库库存编号:
IRFR9110TRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9110
仓库库存编号:
IRFU9110-ND
别名:*IRFU9110
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 4A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9510L
仓库库存编号:
IRF9510L-ND
别名:*IRF9510L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510STRL
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IRF9510STRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9510STRR
仓库库存编号:
IRF9510STRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
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MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9110TRR
仓库库存编号:
IRFR9110TRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.7nC @ 10V,
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