品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R450E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R450E6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R450E6ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R1K2C3
仓库库存编号:
IPA90R1K2C3-ND
别名:IPA90R1K2C3XKSA1
Q4141204
SP000413714
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TRPBF
仓库库存编号:
IRF7201PBFCT-ND
别名:*IRF7201TRPBF
IRF7201PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-2
型号:
SPB18P06P G
仓库库存编号:
SPB18P06PGINCT-ND
别名:SPB18P06PGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC098N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC098N10NS5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3BTMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90R1K2C3ATMA1
仓库库存编号:
IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
别名:IPD90R1K2C3ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO-220-3
型号:
SPP18P06P H
仓库库存编号:
SPP18P06P H-ND
别名:SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P G-ND
SPP18P06PH
SPP18P06PHXKSA1
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9.1A(Tc) 30W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R460CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R460CEXKSA1-ND
别名:SP001276042
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP90R1K2C3
仓库库存编号:
IPP90R1K2C3-ND
别名:IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K2C3
仓库库存编号:
IPW90R1K2C3-ND
别名:IPW90R1K2C3FKSA1
SP000413754
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R450E6
仓库库存编号:
IPP60R450E6-ND
别名:IPP60R450E6XKSA1
SP000842486
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R450E6
仓库库存编号:
IPD60R450E6CT-ND
别名:IPD60R450E6CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ097N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSZ097N10NS5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.1A(Tc) 74W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R460CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R460CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R460CEATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K2C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K2C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K2C3
IPI90R1K2C3-ND
SP000413724
SP000683080
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 30W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R450E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R450E6XKSA1-ND
别名:IPA60R450E6
IPA60R450E6-ND
SP000842484
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201
仓库库存编号:
IRF7201-ND
别名:*IRF7201
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TR
仓库库存编号:
IRF7201TR-ND
别名:SP001564746
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO-220-3
型号:
SPP18P06PHKSA1
仓库库存编号:
SPP18P06PHKSA1-ND
别名:SP000012300
SPP18P06P
SPP18P06PIN
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PX
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PXTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-3
型号:
SPB18P06P
仓库库存编号:
SPB18P06P-ND
别名:SP000012329
SPB18P06PT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD088N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD088N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD088N04L G
IPD088N04L G-ND
SP000354798
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 100V 2.1A, 1.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7350TRPBF
仓库库存编号:
IRF7350TRPBFCT-ND
别名:IRF7350TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB093N04LGATMA1
仓库库存编号:
IPB093N04LGATMA1CT-ND
别名:IPB093N04L GCT
IPB093N04L GCT-ND
IPB093N04LG
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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