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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 17A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 17A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4013DPE-00#J3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 14A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK5013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK5013DPE-00#J3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 14A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK5013DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK5013DPP-E0#T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL6013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL6013DPE-00#J3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 15.8A(Ta) 139W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK16V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK16V60WLVQCT-ND
别名:TK16V60WLVQCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR482DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR482DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS448DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS448DN-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 9.4A(Tc) 3.13W(Ta),120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9P25TM
仓库库存编号:
FQB9P25TMCT-ND
别名:FQB9P25TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M007A080F
仓库库存编号:
1560-1203-5-ND
别名:1560-1203-1
1560-1203-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),71W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD425_001
仓库库存编号:
AOD425_001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
94-3449
仓库库存编号:
94-3449-ND
别名:*IRF7342
IRF7342
IRF7342-ND
SP001517810
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 7.7A(Ta) TO-220AB 整包
型号:
IRFI9530N
仓库库存编号:
IRFI9530N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTRL
仓库库存编号:
IRFR13N20DTRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTR
仓库库存编号:
IRFR13N20DTR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTRR
仓库库存编号:
IRFR13N20DTRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7453
仓库库存编号:
IRF7453-ND
别名:*IRF7453
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7453TR
仓库库存编号:
IRF7453TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 2.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7453TRPBF
仓库库存编号:
IRF7453PBFCT-ND
别名:*IRF7453TRPBF
IRF7453PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14A(Tc) 125W(Tc) DPAK
型号:
PHD14NQ20T,118
仓库库存编号:
PHD14NQ20T,118-ND
别名:934057072118
PHD14NQ20T /T3
PHD14NQ20T /T3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 14A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP14NQ20T,127
仓库库存编号:
PHP14NQ20T,127-ND
别名:934055683127
PHP14NQ20T
PHP14NQ20T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
PHX14NQ20T,127
仓库库存编号:
PHX14NQ20T,127-ND
别名:934055773127
PHX14NQ20T
PHX14NQ20T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DCPBF
仓库库存编号:
IRFR13N20DCPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DCTRRP
仓库库存编号:
IRFR13N20DCTRRP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DCTRLP
仓库库存编号:
IRFR13N20DCTRLP-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7342QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7342QTRPBFCT-ND
别名:IRF7342QTRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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