规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW16NM50N
仓库库存编号:
497-7620-5-ND
别名:497-7620-5
STW16NM50N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 15A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB16NM50N
仓库库存编号:
497-7938-1-ND
别名:497-7938-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 69W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN3R8-30LL,115
仓库库存编号:
568-5592-1-ND
别名:568-5592-1
PSMN3R830LL115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730
仓库库存编号:
IRF730IR-ND
别名:*IRF730
IRF730IR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF830
仓库库存编号:
IRF830IR-ND
别名:*IRF830
IRF830IR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 12A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9530
仓库库存编号:
IRF9530-ND
别名:*IRF9530
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE20
仓库库存编号:
IRFBE20-ND
别名:*IRFBE20
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF20
仓库库存编号:
IRFBF20-ND
别名:*IRFBF20
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 1.4A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG20
仓库库存编号:
IRFBG20-ND
别名:*IRFBG20
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730S
仓库库存编号:
IRF730S-ND
别名:*IRF730S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830S
仓库库存编号:
IRF830S-ND
别名:*IRF830S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840A
仓库库存编号:
IRF840A-ND
别名:*IRF840A
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840AS
仓库库存编号:
IRF840AS-ND
别名:*IRF840AS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530S
仓库库存编号:
IRF9530S-ND
别名:*IRF9530S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530STRL
仓库库存编号:
IRF9530STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20S
仓库库存编号:
IRFBF20S-ND
别名:*IRFBF20S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3.7A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI730G
仓库库存编号:
IRFI730G-ND
别名:*IRFI730G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 7.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9530G
仓库库存编号:
IRFI9530G-ND
别名:*IRFI9530G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE20G
仓库库存编号:
IRFIBE20G-ND
别名:*IRFIBE20G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF20G
仓库库存编号:
IRFIBF20G-ND
别名:*IRFIBF20G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF20L
仓库库存编号:
IRFBF20L-ND
别名:*IRFBF20L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 250V 4.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9634G
仓库库存编号:
IRFI9634G-ND
别名:*IRFI9634G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRL
仓库库存编号:
IRF730STRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRR
仓库库存编号:
IRF730STRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF830L
仓库库存编号:
IRF830L-ND
别名:*IRF830L
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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