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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 45A(Tc) 5.2W(Ta),25W(Tc) 10-PolarPAK?(U)
型号:
SIE864DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE864DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE864DF-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 80V 10.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 10.5A(Ta),46A(Tc) 2.1W(Ta),93.5W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB288L
仓库库存编号:
AOB288L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) TO-262-3
型号:
IRF830LPBF
仓库库存编号:
IRF830LPBF-ND
别名:*IRF830LPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK(3F)
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 65W(Ta) WPAK(3F)(5x6)
型号:
RJK2075DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK2075DPA-00#J5A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A60D(STA4QM)-ND
别名:TK12A60D(STA4QM)
TK12A60DSTA4QM
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRLPBF
仓库库存编号:
IRF730STRLPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRRPBF
仓库库存编号:
IRF730STRRPBF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V W-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK1555DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK1555DPA-00#J0TR-ND
别名:RJK1555DPA-00#J0-ND
RJK1555DPA-00#J0TR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 20A(Tc) 2W(Ta),25W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
2SJ649-AZ
仓库库存编号:
2SJ649-AZ-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP32N20T
仓库库存编号:
IXTP32N20T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA32N20T
仓库库存编号:
IXTA32N20T-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12.5A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A55DA(STA4,QM)
仓库库存编号:
TK13A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK13A55DA(STA4QM)
TK13A55DASTA4QM
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A50D(STA4QM)-ND
别名:TK13A50D(STA4QM)
TK13A50DSTA4QM
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI830G
仓库库存编号:
IRFI830G-ND
别名:*IRFI830G
Q932707
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD040N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGBTMA1-ND
别名:SP000254715
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP042N03LGHKSA1
仓库库存编号:
IPP042N03LGHKSA1-ND
别名:SP000256161
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS040N03LGBKMA1
仓库库存编号:
IPS040N03LGBKMA1-ND
别名:IPS040N03L G
IPS040N03LG
IPS040N03LGIN
IPS040N03LGIN-ND
SP000256159
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 144W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR4620TRL
仓库库存编号:
AUIRFR4620TRL-ND
别名:SP001516660
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 14A(Tc) 175W(Tc) TO-247-3
型号:
STW14NM50
仓库库存编号:
497-3259-5-ND
别名:497-3259-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 30A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP30N20
仓库库存编号:
497-5129-5-ND
别名:497-5129-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 30A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW30N20
仓库库存编号:
497-5168-5-ND
别名:497-5168-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 30A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW30NF20
仓库库存编号:
497-5989-5-ND
别名:497-5989-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF16NM50N
仓库库存编号:
497-7470-5-ND
别名:497-7470-5
STF16NM50N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
STI16NM50N
仓库库存编号:
STI16NM50N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 15A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP16NM50N
仓库库存编号:
497-7510-5-ND
别名:497-7510-5
STP16NM50N-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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