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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 9.4A(Tc) 120W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP9P25
仓库库存编号:
FQP9P25FS-ND
别名:FQP9P25-ND
FQP9P25FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9P25
仓库库存编号:
FQPF9P25FS-ND
别名:FQPF9P25-ND
FQPF9P25FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 7.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9530GPBF
仓库库存编号:
IRFI9530GPBF-ND
别名:*IRFI9530GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 214W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19531KCS
仓库库存编号:
296-37480-5-ND
别名:296-37480-5
CSD19531KCS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.8A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE20PBF
仓库库存编号:
IRFBE20PBF-ND
别名:*IRFBE20PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 103W(Tc) TO-220
型号:
TK34E10N1,S1X
仓库库存编号:
TK34E10N1S1X-ND
别名:TK34E10N1,S1X(S
TK34E10N1S1X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20SPBF
仓库库存编号:
IRFBF20SPBF-ND
别名:*IRFBF20SPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI830GPBF
仓库库存编号:
IRFI830GPBF-ND
别名:*IRFI830GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 10.5A(Tc) 150W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA9P25
仓库库存编号:
FQA9P25FS-ND
别名:FQA9P25-ND
FQA9P25FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF20LPBF
仓库库存编号:
IRFBF20LPBF-ND
别名:*IRFBF20LPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 4.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9634GPBF
仓库库存编号:
IRFI9634GPBF-ND
别名:*IRFI9634GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 500W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP22N60P3
仓库库存编号:
IXFP22N60P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU13N20DPBF
仓库库存编号:
IRFU13N20DPBF-ND
别名:*IRFU13N20DPBF
SP001573640
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK34A10N1,S4X
仓库库存编号:
TK34A10N1S4X-ND
别名:TK34A10N1,S4X(S
TK34A10N1,S4X-ND
TK34A10N1S4X
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),80A(Tc) 3W(Ta),107W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP040N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPP040N06NAKSA1-ND
别名:IPP040N06N
IPP040N06N-ND
SP000959820
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 144W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4620PBF
仓库库存编号:
IRFB4620PBF-ND
别名:SP001563998
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE20GPBF
仓库库存编号:
IRFIBE20GPBF-ND
别名:*IRFIBE20GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 74W(Tc)
型号:
IRF830STRLPBF
仓库库存编号:
IRF830STRLPBFCT-ND
别名:IRF830STRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730SPBF
仓库库存编号:
IRF730SPBF-ND
别名:*IRF730SPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF840ALPBF
仓库库存编号:
IRF840ALPBF-ND
别名:*IRF840ALPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 390W(Tc) TO-220
型号:
IXFP22N65X2
仓库库存编号:
IXFP22N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 390W(Tc) TO-247
型号:
IXFH22N65X2
仓库库存编号:
IXFH22N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP042N03LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP042N03LGXKSA1-ND
别名:IPP042N03L G
IPP042N03LG
IPP042N03LGIN
IPP042N03LGIN-ND
IPP042N03LGXK
SP000680792
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 15A(Tc) 100W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP15P12
仓库库存编号:
FQP15P12-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N60
仓库库存编号:
FQPF7N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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