品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7342TRPBF
仓库库存编号:
IRF7342PBFCT-ND
别名:*IRF7342TRPBF
IRF7342PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR13N20DPBFCT-ND
别名:*IRFR13N20DTRPBF
IRFR13N20DPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC070N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC070N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC070N10NS5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 144W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4620TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4620TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4620TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9393TRPBF
仓库库存编号:
IRF9393TRPBFCT-ND
别名:IRF9393TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9333TRPBF
仓库库存编号:
IRF9333TRPBFCT-ND
别名:IRF9333TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB042N03L G
仓库库存编号:
IPB042N03LGINCT-ND
别名:IPB042N03LGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7815TRPBF
仓库库存编号:
IRF7815TRPBFCT-ND
别名:IRF7815TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4620TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR4620TRLPBFCT-ND
别名:IRFR4620TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7342QTR
仓库库存编号:
AUIRF7342QCT-ND
别名:AUIRF7342QCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU13N20DPBF
仓库库存编号:
IRFU13N20DPBF-ND
别名:*IRFU13N20DPBF
SP001573640
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),80A(Tc) 3W(Ta),107W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP040N06NAKSA1
仓库库存编号:
IPP040N06NAKSA1-ND
别名:IPP040N06N
IPP040N06N-ND
SP000959820
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 144W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4620PBF
仓库库存编号:
IRFB4620PBF-ND
别名:SP001563998
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP042N03LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP042N03LGXKSA1-ND
别名:IPP042N03L G
IPP042N03LG
IPP042N03LGIN
IPP042N03LGIN-ND
IPP042N03LGXK
SP000680792
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9358TRPBF
仓库库存编号:
IRF9358TRPBFCT-ND
别名:IRF9358TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 144W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB5620PBF
仓库库存编号:
IRFB5620PBF-ND
别名:SP001565852
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD040N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGBTMA1-ND
别名:SP000254715
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP042N03LGHKSA1
仓库库存编号:
IPP042N03LGHKSA1-ND
别名:SP000256161
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS040N03LGBKMA1
仓库库存编号:
IPS040N03LGBKMA1-ND
别名:IPS040N03L G
IPS040N03LG
IPS040N03LGIN
IPS040N03LGIN-ND
SP000256159
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 144W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR4620TRL
仓库库存编号:
AUIRFR4620TRL-ND
别名:SP001516660
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
94-3449
仓库库存编号:
94-3449-ND
别名:*IRF7342
IRF7342
IRF7342-ND
SP001517810
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 7.7A(Ta) TO-220AB 整包
型号:
IRFI9530N
仓库库存编号:
IRFI9530N-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTRL
仓库库存编号:
IRFR13N20DTRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DTR
仓库库存编号:
IRFR13N20DTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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