品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
型号:
SI5999EDU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5999EDU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5999EDU-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9945BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9945BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI9945BDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.8A, 5.8A 3W, 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4599DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4599DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4599DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR320TRPBF
仓库库存编号:
IRFR320PBFCT-ND
别名:*IRFR320TRPBF
IRFR320PBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7322DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7322DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.4A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7220DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7220DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7220DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.4A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7220DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7220DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7220DN-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta),18A(Tc) 96mW,80mW SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2374DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2374DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2374DS-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA466EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA466EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA466EDJ-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9220TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9220PBFCT-ND
别名:*IRFR9220TRPBF
IRFR9220PBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 2W(Ta),3.5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3438DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3438DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3438DV-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4559ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4559ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4559ADY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4559ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4559ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4559ADY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7308DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7308DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7308DN-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF720PBF
仓库库存编号:
IRF720PBF-ND
别名:*IRF720PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHD5N50D-GE3-ND
别名:SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3CT-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 3.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9220PBF
仓库库存编号:
IRFU9220PBF-ND
别名:*IRFU9220PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 490mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD320PBF
仓库库存编号:
IRFD320PBF-ND
别名:*IRFD320PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF720SPBF
仓库库存编号:
IRF720SPBF-ND
别名:*IRF720SPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
SIZ342DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ342DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ342DT-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 8A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS460EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS460EN-T1_GE3CT-ND
别名:SQS460EN-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU320PBF
仓库库存编号:
IRFU320PBF-ND
别名:*IRFU320PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 15A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ148EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ148EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ148EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ946EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ946EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ946EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 23A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ476EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ476EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ476EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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