品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS410DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS410DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS410DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4896DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4896DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4896DY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7852DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7852DP-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4896DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4896DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4896DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF634PBF
仓库库存编号:
IRF634PBF-ND
别名:*IRF634PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Tc) 46W(Tc)
型号:
SQD19P06-60L_GE3
仓库库存编号:
SQD19P06-60L_GE3CT-ND
别名:SQD19P06-60L_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7852DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7852DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7852DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI634GPBF
仓库库存编号:
IRFI634GPBF-ND
别名:*IRFI634GPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS452DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS452DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS452DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR410DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR410DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR410DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5414DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5414DC-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS850EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS850EN-T1_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 20A(Tc) 46W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD19P06-60L_T4GE3
仓库库存编号:
SQD19P06-60L_T4GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634STRRPBF
仓库库存编号:
IRF634STRRPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF634
仓库库存编号:
IRF634IR-ND
别名:*IRF634
IRF634-ND
IRF634IR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634S
仓库库存编号:
IRF634S-ND
别名:*IRF634S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 5.6A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI634G
仓库库存编号:
IRFI634G-ND
别名:*IRFI634G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.1A(Tc) I2PAK
型号:
IRF634L
仓库库存编号:
IRF634L-ND
别名:*IRF634L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634STRL
仓库库存编号:
IRF634STRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634STRR
仓库库存编号:
IRF634STRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF634SPBF
仓库库存编号:
IRF634SPBF-ND
别名:*IRF634SPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8.1A(Tc) 74W(Tc) TO-220-5
型号:
IRC634PBF
仓库库存编号:
IRC634PBF-ND
别名:*IRC634PBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18.3A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(SH)
型号:
SIE836DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE836DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE836DF-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18.3A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(SH)
型号:
SIE836DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE836DF-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 41nC @ 10V,
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