品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 190mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP300L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP300L6327HUSA1TR-ND
别名:BSP300 L6327
BSP300 L6327-ND
BSP300L6327XT
SP000089201
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP372 E6327
仓库库存编号:
BSP372 E6327-ND
别名:BSP372E6327T
SP000011120
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.7A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP373 E6327
仓库库存编号:
BSP373 E6327-ND
别名:BSP373E6327T
SP000011121
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) TO-220AB
型号:
BTS110NKSA1
仓库库存编号:
BTS110NKSA1-ND
别名:BTS110
BTS110-ND
SP000011184
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) TO-220AB
型号:
BTS110E3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS110E3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS110 E3045A
BTS110 E3045A-ND
BTS110E3045AT
SP000011183
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113ANKSA1
仓库库存编号:
BTS113ANKSA1-ND
别名:BTS113A
BTS113A-ND
SP000011187
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
BTS113AE3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS113AE3045ANTMA1TR-ND
别名:BTS113A E3045A
BTS113A E3045A-ND
BTS113AE3045AT
SP000011188
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 11.5A(Tc) 40W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS113AE3064NKSA1
仓库库存编号:
BTS113AE3064NKSA1-ND
别名:BTS113A E3064
BTS113A E3064-ND
BTS113AE3064
SP000011189
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ30A E3045A
仓库库存编号:
BUZ30A E3045A-ND
别名:BUZ30AE3045AT
SP000011337
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31
仓库库存编号:
BUZ31IN-ND
别名:BUZ31-ND
BUZ31IN
BUZ31X
BUZ31XK
SP000011341
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) TO-263
型号:
BUZ31 E3045A
仓库库存编号:
BUZ31 E3045A-ND
别名:BUZ31E3045AT
SP000011343
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31 E3046
仓库库存编号:
BUZ31 E3046-ND
别名:BUZ31E3046X
BUZ31E3046XK
SP000011344
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ31L
仓库库存编号:
BUZ31LIN-ND
别名:BUZ31L-ND
BUZ31LIN
BUZ31LX
BUZ31LXK
SP000011342
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 13.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
BUZ31L E3044A
仓库库存编号:
BUZ31L E3044A-ND
别名:BUZ31LE3044ANT
BUZ31LE3044AT
SP000011961
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ32
仓库库存编号:
BUZ32IN-ND
别名:BUZ32-ND
BUZ32IN
BUZ32X
BUZ32XK
SP000011345
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) D2PAK
型号:
BUZ32 E3045A
仓库库存编号:
BUZ32 E3045A-ND
别名:BUZ32E3045AT
SP000011346
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO263-3
型号:
BUZ32H3045AATMA1
仓库库存编号:
BUZ32H3045AATMA1-ND
别名:BUZ32 H3045A
BUZ32 L3045A
BUZ32 L3045A-ND
BUZ32H3045AIN
BUZ32H3045AIN-ND
BUZ32L3045AIN
BUZ32L3045AIN-ND
BUZ32L3045AXT
SP000102174
SP000736086
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73E3046XK
仓库库存编号:
BUZ73E3046XK-ND
别名:BUZ73 E3046
BUZ73 E3046-ND
BUZ73E3046X
SP000011963
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73A
仓库库存编号:
BUZ73AIN-ND
别名:BUZ73A-ND
BUZ73AIN
BUZ73AX
BUZ73AXK
SP000011373
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73AE3046XK
仓库库存编号:
BUZ73AE3046XK-ND
别名:BUZ73A E3046
BUZ73A E3046-ND
BUZ73AE3046X
SP000011962
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73AL
仓库库存编号:
BUZ73ALIN-ND
别名:BUZ73AL-ND
BUZ73ALIN
BUZ73ALX
BUZ73ALXK
SP000011375
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73L
仓库库存编号:
BUZ73LIN-ND
别名:BUZ73L-ND
BUZ73LIN
BUZ73LX
BUZ73LXK
SP000011374
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 PG-TO-220-3
型号:
IPP21N03L G
仓库库存编号:
IPP21N03L G-ND
别名:IPP21N03LGX
IPP21N03LGXK
SP000065079
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Ta) PG-TO251-3
型号:
IPS20N03L G
仓库库存编号:
IPS20N03L G-ND
别名:IPS20N03LGX
IPS20N03LGXK
SP000064380
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Ta) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N08S2-07
仓库库存编号:
SPI100N08S2-07-ND
别名:SP000055687
SPI100N08S207
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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