品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N10N3X1SA1-ND
别名:SP000476916
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC26N12NX1SA1
仓库库存编号:
IPC26N12NX1SA1-ND
别名:SP000296743
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N15N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N15N3X1SA1-ND
别名:SP000875892
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC300N15N3RX1SA2
仓库库存编号:
IPC300N15N3RX1SA2-ND
别名:SP001049344
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名:SP000717450
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20N3X1SA1-ND
别名:SP000619656
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名:SP000870638
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名:SP001363494
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名:SP000691616
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Ta) SUPER D2-PAK
型号:
IRFBL3315
仓库库存编号:
IRFBL3315-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.9A 3W Surface Mount 16-FlipFet?
型号:
IRF6150
仓库库存编号:
IRF6150CT-ND
别名:*IRF6150
IRF6150CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V D2PAK
型号:
IRF3314STRR
仓库库存编号:
IRF3314STRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8-SO
型号:
IRF7423TR
仓库库存编号:
IRF7423TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 8-SO
型号:
IRF7426TR
仓库库存编号:
IRF7426TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET
详细描述:MOSFET
型号:
IRFC2604B
仓库库存编号:
IRFC2604B-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ30A
仓库库存编号:
BUZ30AIN-ND
别名:BUZ30AIN
BUZ30AX
BUZ30AXK
BUZ30AXTIN
BUZ30AXTIN-ND
SP000011336
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ73
仓库库存编号:
BUZ73IN-ND
别名:BUZ73IN
BUZ73X
BUZ73XK
BUZ73XTIN
BUZ73XTIN-ND
SP000011372
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.6A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
BUZ80A
仓库库存编号:
BUZ80AIN-ND
别名:BUZ80AIN
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50V 15.5A(Tc) 50W(Tc) P-TO220AB
型号:
BTS115ANKSA1
仓库库存编号:
BTS115ANKSA1-ND
别名:BTS115A
BTS115AIN
BTS115AIN-ND
SP000011193
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 22A(Tc) 95W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BTS121ANKSA1
仓库库存编号:
BTS121ANKSA1-ND
别名:BTS121A
BTS121AIN
BTS121AIN-ND
SP000011200
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V
型号:
IRFL4310PBF
仓库库存编号:
IRFL4310PBFCT-ND
别名:64-8037PBFCT
64-8037PBFCT-ND
648037PBF
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298 E6327
仓库库存编号:
BSP298 E6327-ND
别名:BSP298E6327T
SP000011109
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298L6327HUSA1
仓库库存编号:
BSP298L6327HUSA1TR-ND
别名:BSP298 L6327
BSP298 L6327-ND
BSP298L6327XT
SP000088258
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 400mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP299 E6327
仓库库存编号:
BSP299 E6327-ND
别名:BSP299E6327T
SP000011110
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 190mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP300 E6327
仓库库存编号:
BSP300 E6327-ND
别名:BSP300E6327T
SP000011111
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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