规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Ta） 52W（Ta） TO-252
型号：
FDD306P
仓库库存编号：
FDD306PCT-ND
别名：FDD306PCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），39.1W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS407ADN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS407ADN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS407ADN-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6375
仓库库存编号：
FDS6375CT-ND
别名：FDS6375CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.4A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA910PZ
仓库库存编号：
FDMA910PZCT-ND
别名：FDMA910PZCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA905P
仓库库存编号：
FDMA905PFSCT-ND
别名：FDMA905PFSCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
NDS8425
仓库库存编号：
NDS8425FSCT-ND
别名：NDS8425FSCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3460DV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3460DV-T1-E3CT-ND
别名：SI3460DV-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7858BDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7858BDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7858BDP-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6423DQ-T1-E3
仓库库存编号：
SI6423DQ-T1-E3CT-ND
别名：SI6423DQ-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7102DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7102DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7102DN-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7858ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7858ADP-T1-E3CT-ND
别名：SI7858ADP-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4866DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4866DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4866DY-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 600mW（Ta） S-Mini
型号：
SSM3J325F,LF
仓库库存编号：
SSM3J325FLFCT-ND
别名：SSM3J325FLFCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS806NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS806NH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS806N H6327CT
BSS806N H6327CT-ND
BSS806NH6327XTSA1CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS806NEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS806NEH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS806NEH6327XTSA1CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 820mA（Ta） 490mW（Ta） X1-DFN1212-3
型号：
DMP21D0UFD-7
仓库库存编号：
DMP21D0UFD-7DICT-ND
别名：DMP21D0UFD-7DICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 425mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
型号：
DMP56D0UFB-7
仓库库存编号：
DMP56D0UFB-7DICT-ND
别名：DMP56D0UFB-7DICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 500mW（Ta） ES6
型号：
SSM6J213FE(TE85L,F
仓库库存编号：
SSM6J213FE(TE85LFCT-ND
别名：SSM6J213FE(TE85LFCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
DMP2038USS-13
仓库库存编号：
DMP2038USS-13DICT-ND
别名：DMP2038USS-13DICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8810EDB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8810EDB-T2-E1CT-ND
别名：SI8810EDB-T2-E1CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 5.5A TSOP6
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 2.1W（Ta） 6-TSOP
型号：
AO6409A
仓库库存编号：
785-1598-1-ND
别名：785-1598-1
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 420mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG410NZ
仓库库存编号：
FDG410NZCT-ND
别名：FDG410NZCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTRV4101PT1G
仓库库存编号：
NTRV4101PT1GOSCT-ND
别名：NTRV4101PT1GOSCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 500mW（Ta） ES6
型号：
SSM6J215FE(TE85L,F
仓库库存编号：
SSM6J215FE(TE85LFCT-ND
别名：SSM6J215FE(TE85LFCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tj） 710mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJF4156NT1G
仓库库存编号：
NTLJF4156NT1GOSCT-ND
别名：NTLJF4156NT1GOSCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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