规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 450mW（Ta） SOT-23
型号：
DMP31D0U-7
仓库库存编号：
DMP31D0U-7DICT-ND
别名：DMP31D0U-7DICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 830mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
型号：
FDY102PZ
仓库库存编号：
FDY102PZCT-ND
别名：FDY102PZCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.56W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1442DH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1442DH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1442DH-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1W（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
NTJS3157NT1G
仓库库存编号：
NTJS3157NT1GOSCT-ND
别名：NTJS3157NT1GOSCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 700mA（Ta） 280mW（Tj） SC-70-3（SOT323）
型号：
NTS4409NT1G
仓库库存编号：
NTS4409NT1GOSCT-ND
别名：NTS4409NT1GOSCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML6401TRPBF
仓库库存编号：
IRLML6401PBFCT-ND
别名：*IRLML6401TRPBF
IRLML6401PBFCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta），18A（Tc） 96mW，80mW SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2374DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2374DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2374DS-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
详细描述：表面贴装 P 沟道 800mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
型号：
SSM3J56MFV,L3F
仓库库存编号：
SSM3J56MFVL3FCT-ND
别名：SSM3J56MFVL3F(TCT
SSM3J56MFVL3F(TCT-ND
SSM3J56MFVL3FCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Tc） 400mW（Tc） SOT-323
型号：
SI1315DL-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1315DL-T1-GE3CT-ND
别名：SI1315DL-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 540mA（Ta） 460mW（Ta） X2-DFN1006-3
型号：
DMP31D0UFB4-7B
仓库库存编号：
DMP31D0UFB4-7BDICT-ND
别名：DMP31D0UFB4-7BDICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.2W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
型号：
CSD13201W10
仓库库存编号：
296-41412-1-ND
别名：296-41412-1
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 0.51A
详细描述：表面贴装 N 沟道 510mA（Ta） 400mW（Ta） 3-X2-DFN0806
型号：
DMN2990UFA-7B
仓库库存编号：
DMN2990UFA-7BDICT-ND
别名：DMN2990UFA-7BDICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
MGSF2N02ELT1G
仓库库存编号：
MGSF2N02ELT1GOSCT-ND
别名：MGSF2N02ELT1GOS
MGSF2N02ELT1GOS-ND
MGSF2N02ELT1GOSCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 490mW（Ta）, 4.15W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV27UPER
仓库库存编号：
1727-2304-1-ND
别名：1727-2304-1
568-12590-1
568-12590-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.5A
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J133TU,LF
仓库库存编号：
SSM3J133TULFCT-ND
别名：SSM3J133TULFCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 450mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN3730U-7
仓库库存编号：
DMN3730U-7DICT-ND
别名：DMN3730U-7DICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
型号：
SSM6J501NU,LF
仓库库存编号：
SSM6J501NULFCT-ND
别名：SSM6J501NULF(TCT
SSM6J501NULF(TCT-ND
SSM6J501NULFCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.4W（Ta），17.9W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA461DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA461DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA461DJ-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J120TU,LF
仓库库存编号：
SSM3J120TULFCT-ND
别名：SSM3J120TU(T5LT)CT
SSM3J120TU(T5LT)CT-ND
SSM3J120TU(TE85L)CT
SSM3J120TU(TE85L)CT-ND
SSM3J120TULFCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
型号：
SI1414DH-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1414DH-T1-GE3CT-ND
别名：SI1414DH-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT
型号：
SI3443DV
仓库库存编号：
SI3443DVFSCT-ND
别名：SI3443DVFSCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8808DB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8808DB-T2-E1CT-ND
别名：SI8808DB-T2-E1CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR802N L6327
仓库库存编号：
BSR802N L6327INCT-ND
别名：BSR802N L6327INCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J130TU,LF
仓库库存编号：
SSM3J130TULFCT-ND
别名：SSM3J130TU(TE85L)CT
SSM3J130TU(TE85L)CT-ND
SSM3J130TULFCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
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Micro Commercial Co
MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
SI2302-TP
仓库库存编号：
SI2302-TPMSCT-ND
别名：SI2302-TPMSCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
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