规格：Vgs（最大值） ±8V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(997)
分立半导体产品
(997)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(54)
Diodes Incorporated(113)
Fairchild/Micross Components(153)
Fairchild/ON Semiconductor(55)
Infineon Technologies(41)
Kionix Inc.(9)
Micro Commercial Co(9)
Nexperia USA Inc.(83)
NXP USA Inc.(26)
ON Semiconductor(8)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic - BSG(1)
Panasonic Electronic Components(3)
Renesas Electronics America(2)
Rohm Semiconductor(17)
STMicroelectronics(16)
Taiwan Semiconductor Corporation(27)
Texas Instruments(9)
Torex Semiconductor Ltd(3)
Toshiba Semiconductor and Storage(45)
Vishay BC Components(19)
Vishay Beyschlag(131)
Vishay Electro-Films(82)
Vishay Huntington Electric Inc.(30)
Vishay Semiconductor Diodes Division(10)
Vishay Semiconductor Opto Division(5)
Vishay Sfernice(6)
Vishay Siliconix(32)
Vishay Spectrol(4)
Vishay Thin Film(2)
Vishay Vitramon(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
型号：
RUM003N02T2L
仓库库存编号：
RUM003N02T2LCT-ND
别名：RUM003N02T2LCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2301BDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2301BDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2301BDS-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 800mW（Ta） SOT-23-3
型号：
DMG2302U-7
仓库库存编号：
DMG2302U-7DICT-ND
别名：DMG2302U-7DICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 850mA（Ta） 540mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
BSH103,215
仓库库存编号：
1727-4319-1-ND
别名：1727-4319-1
568-5013-1
568-5013-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 470mA（Ta） 417mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
BSH203,215
仓库库存编号：
1727-6216-1-ND
别名：1727-6216-1
568-8027-1
568-8027-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.05A（Ta） 417mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
BSH105,215
仓库库存编号：
1727-4924-1-ND
别名：1727-4924-1
568-6215-1
568-6215-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 680mW（Ta） SC-59
型号：
DMN1019USN-13
仓库库存编号：
DMN1019USN-13DICT-ND
别名：DMN1019USN-13DICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN340P
仓库库存编号：
FDN340PCT-ND
别名：FDN340P_F095CT
FDN340P_F095CT-ND
FDN340PCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Tc） 500mW（Tc） SOT-323
型号：
SI1317DL-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1317DL-T1-GE3CT-ND
别名：SI1317DL-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.24A（Ta） 430mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN2300U-7
仓库库存编号：
DMN2300U-7DICT-ND
别名：DMN2300U-7DICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMN2B01FTA
仓库库存编号：
ZXMN2B01FCT-ND
别名：ZXMN2B01FCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2315BDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2315BDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2315BDS-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2312BDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2312BDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2312BDS-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2312BDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2312BDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2312BDS-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Tc） 1.25W（Ta），1.8W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2377EDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2377EDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2377EDS-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2312CDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2312CDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2312CDS-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2333CDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2333CDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2333CDS-T1-E3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 1.6W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3433CDV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3433CDV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3433CDV-T1-GE3CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 690mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMN1019UFDE-7
仓库库存编号：
DMN1019UFDE-7DICT-ND
别名：DMN1019UFDE-7DICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 780mW（Ta） SOT-23-3
型号：
DMG3414U-7
仓库库存编号：
DMG3414U-7DICT-ND
别名：DMG3414U-7DICT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 350mW（Tc） SOT-23
型号：
STR1P2UH7
仓库库存编号：
497-15519-1-ND
别名：497-15519-1
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8800EDB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8800EDB-T2-E1CT-ND
别名：SI8800EDB-T2-E1CT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN339AN
仓库库存编号：
FDN339ANCT-ND
别名：FDN339ANCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 14.5A 8DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 14.5A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），29W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7407
仓库库存编号：
785-1306-1-ND
别名：785-1306-1
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN304PZ
仓库库存编号：
FDN304PZCT-ND
别名：FDN304PZCT
规格：Vgs（最大值） ±8V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
