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Fairchild/ON Semiconductor
FCP11N60N IN TO220 F102 T/F OPTI
详细描述：通孔 N 沟道 10.8A（Tc） 94W（Tc） TO-220F
型号：
FCP11N60N_F102
仓库库存编号：
FCP11N60N_F102-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
R5013ANJTL
仓库库存编号：
R5013ANJTL-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 3.1W（Ta），250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB25N33TM_F085
仓库库存编号：
FQB25N33TM_F085-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK11A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK11A50D(STA4QM)-ND
别名：TK11A50D(STA4QM)
TK11A50DSTA4QM
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP7N60P
仓库库存编号：
IXTP7N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） TO-263AB
型号：
IRFS11N50ATRLP
仓库库存编号：
IRFS11N50ATRLP-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS11N50ATRRP
仓库库存编号：
IRFS11N50ATRRP-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） TO-263AB
型号：
IRF840LCSTRRPBF
仓库库存编号：
IRF840LCSTRRPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Ta） 2.23W（Ta），40W（Tc） TO-220FM
型号：
RCX330N25
仓库库存编号：
RCX330N25-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 200V 45A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Ta） 40W（Tc） TO-220
型号：
FKP202
仓库库存编号：
FKP202-ND
别名：FKP202 DK
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP05N100
仓库库存编号：
IXTP05N100-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK7A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK7A65D(STA4QM)-ND
别名：TK7A65D(STA4QM)
TK7A65DSTA4QM
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP8N50P
仓库库存编号：
IXTP8N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK12A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK12A45D(STA4QM)-ND
别名：TK12A45D(STA4QM)
TK12A45DSTA4QM
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 25A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 357W（Tc） TO-220
型号：
AOT25S65L
仓库库存编号：
785-1514-5-ND
别名：AOT25S65L-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB15N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHB15N65E-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK6A60W,S4VX
仓库库存编号：
TK6A60WS4VX-ND
别名：TK6A60W,S4VX(M
TK6A60WS4VX
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
型号：
TK8Q60W,S1VQ
仓库库存编号：
TK8Q60WS1VQ-ND
别名：TK8Q60W,S1VQ(S
TK8Q60WS1VQ
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30ASTRLPBF
仓库库存编号：
IRFBC30ASTRLPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
R6012ANJTL
仓库库存编号：
R6012ANJTL-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 500V
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB25N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHB25N50E-GE3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP8N50PM
仓库库存编号：
IXTP8N50PM-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.3A
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 2W（Ta），36W（Tc） TO-220F-3FS
型号：
BFL4004-1E
仓库库存编号：
BFL4004-1E-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP7N60P3
仓库库存编号：
IXFP7N60P3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK10A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK10A55D(STA4QM)-ND
别名：TK10A55D(STA4QM)
TK10A55DSTA4QM
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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