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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT10045B2LLG
  仓库库存编号：APT10045B2LLG-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 280W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT4N150HV
  仓库库存编号：IXTT4N150HV-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  不受无铅要求限制
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 21A（Tc） 462W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT21M100J
  仓库库存编号：APT21M100J-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 568W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR64N60Q3
  仓库库存编号：IXFR64N60Q3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 690W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT10035LLLG
  仓库库存编号：APT10035LLLG-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 694W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT8020LFLLG
  仓库库存编号：APT8020LFLLG-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12067B2FLLG
  仓库库存编号：APT12067B2FLLG-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 570W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR32N100Q3
  仓库库存编号：IXFR32N100Q3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 23A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT22F100J
  仓库库存编号：APT22F100J-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 49A（Tc） 540W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT47F60J
  仓库库存编号：APT47F60J-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 700W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX22N100L
  仓库库存编号：IXTX22N100L-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB40N110Q3
  仓库库存编号：IXFB40N110Q3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  SMPD HIPERFETS & MOSFETS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 520W（Tc） Polar3?
  
  型号：MMIX1T132N50P3
  仓库库存编号：MMIX1T132N50P3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 63A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50Q3
  仓库库存编号：IXFN80N50Q3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT12N150HV
  仓库库存编号：IXTT12N150HV-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 49A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN62N80Q3
  仓库库存编号：IXFN62N80Q3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 82A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N50Q3
  仓库库存编号：IXFN100N50Q3-ND
  
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  MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N80Q3
  仓库库存编号：IXFN44N80Q3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 28A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN32N100Q3
  仓库库存编号：IXFN32N100Q3-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APL1001J
  仓库库存编号：APL1001J-ND
  别名：APL1001JMI
  APL1001JMI-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 20A（Tc） 520W（Tc） SP1
  
  型号：APTML100U60R020T1AG
  仓库库存编号：APTML100U60R020T1AG-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 372A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 372A（Tc） 1250W（Tc） SP6
  
  型号：APTM20SKM04G
  仓库库存编号：APTM20SKM04G-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR24N15DTRPBF
  仓库库存编号：IRFR24N15DTRPBFCT-ND
  别名：IRFR24N15DTRPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 3.8W（Ta），230W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS52N15DTRLP
  仓库库存编号：IRFS52N15DTRLPCT-ND
  别名：IRFS52N15DTRLPCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS31N20DTRLP
  仓库库存编号：IRFS31N20DTRLPCT-ND
  别名：IRFS31N20DTRLPCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±30V,
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