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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK14A65W5,S5X
仓库库存编号：
TK14A65W5S5X-ND
别名：TK14A65W5,S5X(M
TK14A65W5,S5X-ND
TK14A65W5S5X
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 170W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP15N40
仓库库存编号：
FDP15N40-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP13N50
仓库库存编号：
FQP13N50-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP14N60P
仓库库存编号：
IXFP14N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ36N30P
仓库库存编号：
IXTQ36N30P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP22N60P3
仓库库存编号：
IXFP22N60P3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 330W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4227PBF
仓库库存编号：
IRFP4227PBF-ND
别名：SP001560510
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ22N50P
仓库库存编号：
IXTQ22N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ460P2
仓库库存编号：
IXTQ460P2-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 350W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH22N50P
仓库库存编号：
IXFH22N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R6015ANX
仓库库存编号：
R6015ANX-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ26N50P
仓库库存编号：
IXTQ26N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 550W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ200N10T
仓库库存编号：
IXTQ200N10T-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP33N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP33N60E-GE3-ND
别名：SIHP33N60EGE3
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT8M100B
仓库库存编号：
APT8M100B-ND
别名：APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH26N50P3
仓库库存编号：
IXFH26N50P3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50P
仓库库存编号：
IXFH30N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH42N50P2
仓库库存编号：
IXFH42N50P2-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ36N50P
仓库库存编号：
IXTQ36N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 42A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH42N60P3
仓库库存编号：
IXFH42N60P3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ50N60P3
仓库库存编号：
IXFQ50N60P3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
型号：
TK35N65W,S1F
仓库库存编号：
TK35N65WS1F-ND
别名：TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-ND
TK35N65WS1F
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 540W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N60P
仓库库存编号：
IXTH30N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH36N50P
仓库库存编号：
IXFH36N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-268
型号：
IXFT42N50P2
仓库库存编号：
IXFT42N50P2-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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