规格：Vgs（最大值） ±30V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(4588)
分立半导体产品
(4588)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(315)
Diodes Incorporated(31)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(782)
Fairchild/ON Semiconductor(152)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(159)
IXYS(686)
Kionix Inc.(68)
Microchip Technology(19)
Microsemi Corporation(147)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(201)
Nexperia USA Inc.(7)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(181)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Electronic Components(2)
Panasonic Industrial Automation Sales(5)
Renesas Electronics America(84)
Rohm Semiconductor(52)
Sanken(16)
STMicroelectronics(644)
Taiwan Semiconductor Corporation(203)
Toshiba Semiconductor and Storage(226)
Vishay BC Components(62)
Vishay Beyschlag(225)
Vishay Electro-Films(74)
Vishay Huntington Electric Inc.(19)
Vishay Semiconductor Diodes Division(10)
Vishay Semiconductor Opto Division(5)
Vishay Sfernice(19)
Vishay Siliconix(48)
Vishay Spectrol(5)
Vishay Thin Film(3)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 41A（Tc） 3.1W（Ta） D2PAK
型号：
IRFS41N15DTRR
仓库库存编号：
IRFS41N15DTRR-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 41A（Tc） 3.1W（Ta） TO-262
型号：
IRFSL41N15D
仓库库存编号：
IRFSL41N15D-ND
别名：*IRFSL41N15D
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 44A（Tc） 2.4W（Ta），330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB42N20D
仓库库存编号：
IRFB42N20D-ND
别名：*IRFB42N20D
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7450
仓库库存编号：
IRF7450-ND
别名：*IRF7450
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7465
仓库库存编号：
IRF7465-ND
别名：*IRF7465
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7453
仓库库存编号：
IRF7453-ND
别名：*IRF7453
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7451
仓库库存编号：
IRF7451-ND
别名：*IRF7451
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR12N25D
仓库库存编号：
IRFR12N25D-ND
别名：*IRFR12N25D
SP001572818
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU12N25D
仓库库存编号：
IRFU12N25D-ND
别名：*IRFU12N25D
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7450TR
仓库库存编号：
IRF7450TR-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 3.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7451TR
仓库库存编号：
IRF7451TR-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7453TR
仓库库存编号：
IRF7453TR-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N15DTR
仓库库存编号：
IRFR13N15DTR-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N15DTRL
仓库库存编号：
IRFR13N15DTRL-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N15DTRR
仓库库存编号：
IRFR13N15DTRR-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTR
仓库库存编号：
IRFR9N20DTR-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTRL
仓库库存编号：
IRFR9N20DTRL-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9N20DTRR
仓库库存编号：
IRFR9N20DTRR-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20DTRL
仓库库存编号：
IRFS17N20DTRL-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 16A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS17N20DTRR
仓库库存编号：
IRFS17N20DTRR-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 580W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
IRFPS3810
仓库库存编号：
IRFPS3810-ND
别名：*IRFPS3810
Q1244033
SP001560530
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 900mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5802TR
仓库库存编号：
IRF5802TRCT-ND
别名：*IRF5802TR
IRF5802CT
IRF5802CT-ND
IRF5802TRCT
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 2.6A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4315
仓库库存编号：
IRFL4315-ND
别名：*IRFL4315
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 1.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF3000
仓库库存编号：
IRF3000-ND
别名：*IRF3000
Q1439458
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 200V 17A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU15N20DPBF
仓库库存编号：
IRFU15N20DPBF-ND
别名：*IRFU15N20DPBF
SP001576362
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
