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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
详细描述：通孔 N 沟道 450V 13A（Ta） 100W（Tc） TO-220FL
型号：
2SK3403(Q)
仓库库存编号：
2SK3403(Q)-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 5A SC-97
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Ta） 50W（Tc） TFP（9.2x10.7）
型号：
2SK3466(TE24L,Q)
仓库库存编号：
2SK3466(TE24L,Q)-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
2SK3868(Q,M)
仓库库存编号：
2SK3868(Q,M)-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Ta） 150W（Tc） TO-3P（N）
型号：
2SK3906(Q)
仓库库存编号：
2SK3906(Q)-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 600V 13A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
型号：
2SK4016(Q)
仓库库存编号：
2SK4016(Q)-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
详细描述：通孔 N 沟道 250V 8A（Ta） 35W（Tc） TO-220FN
型号：
RDN080N25FU6
仓库库存编号：
RDN080N25FU6-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
详细描述：通孔 N 沟道 250V 12A（Ta） 40W（Tc） TO-220FN
型号：
RDN120N25FU6
仓库库存编号：
RDN120N25FU6-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 175V 150A（Tc） 830W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH150N17T
仓库库存编号：
IXTH150N17T-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 280V 80A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ80N28T
仓库库存编号：
IXTQ80N28T-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FI
详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220FI（LS）
型号：
2SK4085LS
仓库库存编号：
869-1042-ND
别名：869-1042
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Ta） 2.5W（Ta），170W（Tc） TO-3PB
型号：
2SK4124
仓库库存编号：
869-1070-ND
别名：869-1070
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 17A TO-3PB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Ta） 2.5W（Ta），170W（Tc） TO-3PB
型号：
2SK4125
仓库库存编号：
869-1071-ND
别名：869-1071
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
型号：
ATP602-TL-H
仓库库存编号：
869-1089-1-ND
别名：869-1089-1
ATP602TLH
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 18A（Tc） 38W（Tc） TO-220-3
型号：
SIHF18N50C-E3
仓库库存编号：
SIHF18N50C-E3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 43A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN52N90P
仓库库存编号：
IXFN52N90P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 900V 12A（Tc） 380W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV12N90P
仓库库存编号：
IXFV12N90P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 900V 18A（Tc） 540W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV18N90P
仓库库存编号：
IXFV18N90P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 12A（Tc） 380W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV12N90PS
仓库库存编号：
IXFV12N90PS-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 18A（Tc） 540W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV18N90PS
仓库库存编号：
IXFV18N90PS-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.7A（Tc） 83W（Tc） I-Pak
型号：
NDD05N50Z-1G
仓库库存编号：
NDD05N50Z-1GOS-ND
别名：NDD05N50Z-1G-ND
NDD05N50Z-1GOS
NDD05N50Z1G
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.6A（Tc） 61W（Tc） I-Pak
型号：
NDD03N60Z-1G
仓库库存编号：
NDD03N60Z-1GOS-ND
别名：NDD03N60Z-1G-ND
NDD03N60Z-1GOS
NDD03N60Z1G
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF08N50ZG
仓库库存编号：
NDF08N50ZGOS-ND
别名：NDF08N50ZG-ND
NDF08N50ZGOS
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK4A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK4A60D(STA4QM)-ND
别名：TK4A60D(Q)
TK4A60D(Q)-ND
TK4A60D(STA4QM)
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 74A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 74A（Tc） 1400W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX74N50P2
仓库库存编号：
IXFX74N50P2-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.5A（Ta） TO-220SIS
型号：
TK4A60DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK4A60DA(STA4QM)-ND
别名：TK4A60DA(STA4QM)
TK4A60DASTA4QM
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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