规格:Vgs(最大值) ±30V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(4588)
分立半导体产品
(4588)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(315)
Diodes Incorporated(31)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(782)
Fairchild/ON Semiconductor(152)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(159)
IXYS(686)
Kionix Inc.(68)
Microchip Technology(19)
Microsemi Corporation(147)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(201)
Nexperia USA Inc.(7)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(181)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Electronic Components(2)
Panasonic Industrial Automation Sales(5)
Renesas Electronics America(84)
Rohm Semiconductor(52)
Sanken(16)
STMicroelectronics(644)
Taiwan Semiconductor Corporation(203)
Toshiba Semiconductor and Storage(226)
Vishay BC Components(62)
Vishay Beyschlag(225)
Vishay Electro-Films(74)
Vishay Huntington Electric Inc.(19)
Vishay Semiconductor Diodes Division(10)
Vishay Semiconductor Opto Division(5)
Vishay Sfernice(19)
Vishay Siliconix(48)
Vishay Spectrol(5)
Vishay Thin Film(3)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220FM
型号:
RDX120N50FU6
仓库库存编号:
RDX120N50FU6-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 85W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP5N50
仓库库存编号:
FDP5N50-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 85A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 21A(Ta),85A(Tc) 2.3W(Ta),75W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1440
仓库库存编号:
785-1127-1-ND
别名:785-1127-1
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 28A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 28A(Tc) 277W(Tc) SP1
型号:
APTC80DA15T1G
仓库库存编号:
APTC80DA15T1G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 28A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 28A(Tc) 277W(Tc) SP1
型号:
APTC80SK15T1G
仓库库存编号:
APTC80SK15T1G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 40A(Tc) 657W(Tc) SP1
型号:
APTM100DA18T1G
仓库库存编号:
APTM100DA18T1G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100DA40T1G
仓库库存编号:
APTM100DA40T1G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100SK40T1G
仓库库存编号:
APTM100SK40T1G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 65A J3
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 65A(Tc) 1250W(Tc) 模块
型号:
APTM100U13SG
仓库库存编号:
APTM100U13SG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 60A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM120DA15G
仓库库存编号:
APTM120DA15G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 34A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM120DA29TG
仓库库存编号:
APTM120DA29TG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 18A(Tc) 390W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA56T1G
仓库库存编号:
APTM120DA56T1G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA68T1G
仓库库存编号:
APTM120DA68T1G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 60A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM120SK15G
仓库库存编号:
APTM120SK15G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 34A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM120SK29TG
仓库库存编号:
APTM120SK29TG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 18A(Tc) 390W(Tc) SP1
型号:
APTM120SK56T1G
仓库库存编号:
APTM120SK56T1G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 15A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM120SK68T1G
仓库库存编号:
APTM120SK68T1G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 160A(Tc) 3290W(Tc) SP6
型号:
APTM120U10DAG
仓库库存编号:
APTM120U10DAG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 103A(Tc) 2272W(Tc) SP6
型号:
APTM120UM95FAG
仓库库存编号:
APTM120UM95FAG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 175A(Tc) 694W(Tc) SP4
型号:
APTM20DAM10TG
仓库库存编号:
APTM20DAM10TG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 175A(Tc) 694W(Tc) SP4
型号:
APTM20SKM10TG
仓库库存编号:
APTM20SKM10TG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 317A J3
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 317A(Tc) 1136W(Tc) 模块
型号:
APTM20UM05SG
仓库库存编号:
APTM20UM05SG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 195A J3
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 195A(Tc) 780W(Tc) 模块
型号:
APTM20UM09SG
仓库库存编号:
APTM20UM09SG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 99A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 99A(Tc) 781W(Tc) SP4
型号:
APTM50DAM35TG
仓库库存编号:
APTM50DAM35TG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 90A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 90A(Tc) 694W(Tc) SP4
型号:
APTM50DAM38CTG
仓库库存编号:
APTM50DAM38CTG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号