规格:Vgs(最大值) ±30V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(4588)
分立半导体产品
(4588)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(315)
Diodes Incorporated(31)
Exar Corporation(1)
Fairchild/Micross Components(782)
Fairchild/ON Semiconductor(152)
Global Power Technologies Group(133)
Infineon Technologies(159)
IXYS(686)
Kionix Inc.(68)
Microchip Technology(19)
Microsemi Corporation(147)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(201)
Nexperia USA Inc.(7)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(181)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Electronic Components(2)
Panasonic Industrial Automation Sales(5)
Renesas Electronics America(84)
Rohm Semiconductor(52)
Sanken(16)
STMicroelectronics(644)
Taiwan Semiconductor Corporation(203)
Toshiba Semiconductor and Storage(226)
Vishay BC Components(62)
Vishay Beyschlag(225)
Vishay Electro-Films(74)
Vishay Huntington Electric Inc.(19)
Vishay Semiconductor Diodes Division(10)
Vishay Semiconductor Opto Division(5)
Vishay Sfernice(19)
Vishay Siliconix(48)
Vishay Spectrol(5)
Vishay Thin Film(3)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 78A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM100SKM90G
仓库库存编号:
APTM100SKM90G-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 570A(Tc) 1660W(Tc) SP6
型号:
APTM10UM02FAG
仓库库存编号:
APTM10UM02FAG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 417A(Tc) 1560W(Tc) SP6
型号:
APTM20UM04SAG
仓库库存编号:
APTM20UM04SAG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 145A(Tc) 3250W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM65DAG
仓库库存编号:
APTM100UM65DAG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 335A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 335A(Tc) 3290W(Tc) SP6
型号:
APTM50UM13SAG
仓库库存编号:
APTM50UM13SAG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 116A(Tc) 3290W(Tc) SP6
型号:
APTM120U10SAG
仓库库存编号:
APTM120U10SAG-ND
别名:APTM120U10SAGMI
APTM120U10SAGMI-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 129A(Tc) 2272W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM60FAG
仓库库存编号:
APTM100UM60FAG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 171A(Tc) 5000W(Tc) SP6
型号:
APTM120UM70DAG
仓库库存编号:
APTM120UM70DAG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 497A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 497A(Tc) 5000W(Tc) SP6
型号:
APTM50UM09FAG
仓库库存编号:
APTM50UM09FAG-ND
别名:APTM50UM09FAGMI
APTM50UM09FAGMI-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 116A(Tc) 3290W(Tc) SP6
型号:
APTM120U10SCAVG
仓库库存编号:
APTM120U10SCAVG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 215A(Tc) 5000W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM45FAG
仓库库存编号:
APTM100UM45FAG-ND
别名:APTM100UM45FAGMI
APTM100UM45FAGMI-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 145A(Tc) 3250W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM65SCAVG
仓库库存编号:
APTM100UM65SCAVG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 171A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 171A(Tc) 5000W(Tc) SP6
型号:
APTM120UM70FAG
仓库库存编号:
APTM120UM70FAG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR13N15DTRPBF-ND
别名:SP001571424
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRPBFCT-ND
别名:IRFR18N15DTRPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK
型号:
IRFS41N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS41N15DTRLP-ND
别名:SP001573476
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 33A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS33N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS33N15DTRLP-ND
别名:SP001573500
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS59N10DTRLP
仓库库存编号:
IRFS59N10DTRLP-ND
别名:SP001557452
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 35A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 375A(Tc) 4.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
AUIRF7799L2TR
仓库库存编号:
AUIRF7799L2TR-ND
别名:SP001522796
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 105A(Tc) 441W(Tc) SUPER-247(TO-274AA)
型号:
IRFPS3815PBF
仓库库存编号:
IRFPS3815PBF-ND
别名:*IRFPS3815PBF
SP001556840
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 171A AUTO
详细描述:通孔 N 沟道 150V 171A(Tc) 517W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP4568
仓库库存编号:
AUIRFP4568-ND
别名:SP001519624
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 171A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 171A(Tc) 517W(Tc) TO-247AD
型号:
AUIRFP4568-E
仓库库存编号:
AUIRFP4568-E-ND
别名:SP001521012
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 500V 500mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ3NK50ZR-AP
仓库库存编号:
STQ3NK50ZR-AP-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
STP8NM60
仓库库存编号:
497-5397-5-ND
别名:497-5397-5
STP8NM60-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3A(Tc) 42W(Tc) D-Pak
型号:
STD3NM60T4
仓库库存编号:
497-3161-1-ND
别名:497-3161-1
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号