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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 220A（Tc） 789W（Tc） SOT-227
型号：
VS-FC220SA20
仓库库存编号：
VS-FC220SA20-ND
别名：VSFC220SA20
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 38A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN38N80Q2
仓库库存编号：
IXFN38N80Q2-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 595W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN20N120P
仓库库存编号：
IXFN20N120P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 20A（Tc） 1250W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK20N150
仓库库存编号：
IXTK20N150-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 70A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT30M40JVFR
仓库库存编号：
APT30M40JVFR-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 70A（Tc） 600W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE70NM60
仓库库存编号：
497-3173-5-ND
别名：497-3173-5
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN80N50Q2
仓库库存编号：
IXFN80N50Q2-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1100V 21A（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL40N110P
仓库库存编号：
IXFL40N110P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 39A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT6013JLL
仓库库存编号：
APT6013JLL-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 63A（Tc） 520W（Tc） SMPD
型号：
MMIX1F132N50P3
仓库库存编号：
MMIX1F132N50P3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB38N100Q2
仓库库存编号：
IXFB38N100Q2-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 550V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN72N55Q2
仓库库存编号：
IXFN72N55Q2-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1500V 7.5A（Tc） 545W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN8N150L
仓库库存编号：
IXTN8N150L-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 24A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUSi5-Pak?
型号：
IXFL32N120P
仓库库存编号：
IXFL32N120P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 31A（Tc） 657W（Tc） SP1
型号：
APTM120DA30T1G
仓库库存编号：
APTM120DA30T1G-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12057B2FLLG
仓库库存编号：
APT12057B2FLLG-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 694W（Tc） 24-SMPD
型号：
MMIX1F44N100Q3
仓库库存编号：
MMIX1F44N100Q3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 25A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN30N110P
仓库库存编号：
IXFN30N110P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 893W（Tc） 264 MAX? [L2]
型号：
APT60M75L2LLG
仓库库存编号：
APT60M75L2LLG-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 595W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N100P
仓库库存编号：
IXFN26N100P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 540W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN17N120L
仓库库存编号：
IXTN17N120L-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 23A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N120P
仓库库存编号：
IXFN26N120P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 73A TO-264MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 893W（Tc） 264 MAX? [L2]
型号：
APT60M75L2FLLG
仓库库存编号：
APT60M75L2FLLG-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 38A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N100Q3
仓库库存编号：
IXFN44N100Q3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 35A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN40N110Q3
仓库库存编号：
IXFN40N110Q3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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