规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 17A(Tc) 700W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK17N120L
仓库库存编号:
IXTK17N120L-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 20A(Tc) 400W(Tc) TO-268
型号:
IXTT20N50D
仓库库存编号:
IXTT20N50D-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 46A(Tc) 700W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX46N50L
仓库库存编号:
IXTX46N50L-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 22A(Tc) 700W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK22N100L
仓库库存编号:
IXTK22N100L-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 46A(Tc) 700W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK46N50L
仓库库存编号:
IXTK46N50L-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 33A(Tc) 543W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT32M80J
仓库库存编号:
APT32M80J-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK30N100Q2
仓库库存编号:
IXFK30N100Q2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX30N100Q2
仓库库存编号:
IXFX30N100Q2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 70A(Tc) 450W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M40JVR
仓库库存编号:
APT30M40JVR-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 22A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12057B2LLG
仓库库存编号:
APT12057B2LLG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 26A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT26M100JCU2
仓库库存编号:
APT26M100JCU2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 26A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT26M100JCU3
仓库库存编号:
APT26M100JCU3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 58A(Tc) 540W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT58F50J
仓库库存编号:
APT58F50J-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 58A(Tc) 540W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT58M50J
仓库库存编号:
APT58M50J-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 37A(Tc) 360W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL70N60Q2
仓库库存编号:
IXFL70N60Q2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 20A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT20M120JCU2
仓库库存编号:
APT20M120JCU2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 20A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT20M120JCU3
仓库库存编号:
APT20M120JCU3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 28A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10035B2FLLG
仓库库存编号:
APT10035B2FLLG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 22A(Tc) 690W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT12057LFLLG
仓库库存编号:
APT12057LFLLG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 50A(Tc) 1135W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB50N80Q2
仓库库存编号:
IXFB50N80Q2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 40A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB40N110P
仓库库存编号:
IXFB40N110P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 38A(Tc) 694W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT8020B2LLG
仓库库存编号:
APT8020B2LLG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 65A(Tc) 833W(Tc) 264 MAX? [L2]
型号:
APT60M80L2VRG
仓库库存编号:
APT60M80L2VRG-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 31A(Tc) 543W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT29F80J
仓库库存编号:
APT29F80J-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 18A(Tc) 357W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXFL30N120P
仓库库存编号:
IXFL30N120P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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