规格：Vgs（最大值） ±30V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT14M100B
仓库库存编号：
APT14M100B-ND
别名：APT14M100BMP
APT14M100BMP-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 11A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR20N80P
仓库库存编号：
IXFR20N80P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 44A（Tc） 658W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ44N50P
仓库库存编号：
IXTQ44N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-3P（N）
型号：
TK31J60W5,S1VQ
仓库库存编号：
TK31J60W5S1VQ-ND
别名：TK31J60W5,S1VQ(O
TK31J60W5S1VQ
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH21N50Q
仓库库存编号：
IXFH21N50Q-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT14F100B
仓库库存编号：
APT14F100B-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 2.5A（Tc） 110W（Tc） TO-247
型号：
IXTJ4N150
仓库库存编号：
IXTJ4N150-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 36A（Tc） 540W（Tc） TO-268
型号：
IXTT36N50P
仓库库存编号：
IXTT36N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 540W（Tc） TO-268
型号：
IXTT30N60P
仓库库存编号：
IXTT30N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-268
型号：
IXFT21N50Q
仓库库存编号：
IXFT21N50Q-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK24N80P
仓库库存编号：
IXFK24N80P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 18A（Tc） 540W（Tc） TO-268
型号：
IXFT18N90P
仓库库存编号：
IXFT18N90P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-268
型号：
IXFT36N60P
仓库库存编号：
IXFT36N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
型号：
APT14M100S
仓库库存编号：
APT14M100S-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 265W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT5024BLLG
仓库库存编号：
APT5024BLLG-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 17A（Tc） 220W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB18N50K
仓库库存编号：
IRFB18N50K-ND
别名：*IRFB18N50K
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 650W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK36N60P
仓库库存编号：
IXFK36N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 18A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 18A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
型号：
APT17F80S
仓库库存编号：
APT17F80S-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR36N50P
仓库库存编号：
IXFR36N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 15A（Tc） 166W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR30N60P
仓库库存编号：
IXFR30N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 37A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
型号：
APT37F50S
仓库库存编号：
APT37F50S-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
型号：
FCA47N60
仓库库存编号：
FCA47N60-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
型号：
FCA47N60_F109
仓库库存编号：
FCA47N60_F109FS-ND
别名：FCA47N60_F109-ND
FCA47N60_F109FS
FCA47N60F109
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 28A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 28A（Tc） 375W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH28N50Q
仓库库存编号：
IXFH28N50Q-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 24A（Tc） 650W（Tc） TO-268
型号：
IXFT24N80P
仓库库存编号：
IXFT24N80P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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