规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH36N50P
仓库库存编号:
IXTH36N50P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N60P
仓库库存编号:
IXFH30N60P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 415W(Tc) D3Pak
型号:
APT30F50S
仓库库存编号:
APT30F50S-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH10N100P
仓库库存编号:
IXFH10N100P-ND
别名:Q4374359
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 960W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ480P2
仓库库存编号:
IXTQ480P2-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30.8A(Ta) 230W(Tc) TO-220
型号:
TK31E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK31E60WS1VX-ND
别名:TK31E60W,S1VX(S
TK31E60WS1VX
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 30.8A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK31A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK31A60WS4VX-ND
别名:TK31A60W,S4VX(M
TK31A60WS4VX
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 379W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW47N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHW47N60EF-GE3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 500W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV20N80P
仓库库存编号:
IXFV20N80P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 180W(Tc) TO-247
型号:
IXFJ26N50P3
仓库库存编号:
IXFJ26N50P3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N60P
仓库库存编号:
IXFT30N60P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 278W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW33N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW33N60E-GE3-ND
别名:SIHW33N60E-GE3CT
SIHW33N60E-GE3CT-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 830W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH160N15T
仓库库存编号:
IXTH160N15T-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 337W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT9F100B
仓库库存编号:
APT9F100B-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXTT30N50P
仓库库存编号:
IXTT30N50P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-268
型号:
IXTT26N60P
仓库库存编号:
IXTT26N60P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 250W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N120P
仓库库存编号:
IXFH6N120P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 335W(Tc) D3Pak
型号:
APT7M120S
仓库库存编号:
APT7M120S-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 1040W(Tc) TO-268
型号:
IXFT50N60P3
仓库库存编号:
IXFT50N60P3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 960W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH50N50P3
仓库库存编号:
IXFH50N50P3-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 543W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH15N100P
仓库库存编号:
IXFH15N100P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXFT20N80P
仓库库存编号:
IXFT20N80P-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 156W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF200N10T
仓库库存编号:
IXTF200N10T-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ50N60X
仓库库存编号:
IXFQ50N60X-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1500V 3A(Tc) 250W(Tc) TO-263
型号:
IXTA3N150HV
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IXTA3N150HV-ND
规格:Vgs(最大值) ±30V,
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