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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ14N80P
仓库库存编号：
IXFQ14N80P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 96A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH96N25T
仓库库存编号：
IXTH96N25T-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 500W（Tc） TO-263
型号：
IXFA30N60X
仓库库存编号：
IXFA30N60X-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ26N50P3
仓库库存编号：
IXFQ26N50P3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ22N60P
仓库库存编号：
IXTQ22N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT12M80B
仓库库存编号：
APT12M80B-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT7F100B
仓库库存编号：
APT7F100B-ND
别名：APT7F100BMI
APT7F100BMI-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT9M100B
仓库库存编号：
APT9M100B-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 400W（Tc） TO-247-3
型号：
IXFH24N60X
仓库库存编号：
IXFH24N60X-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 337W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT11F80B
仓库库存编号：
APT11F80B-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 750W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ130N15T
仓库库存编号：
IXTQ130N15T-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 330V 30A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Ta） 85W（Tc） TO-3P
型号：
FKP330C
仓库库存编号：
FKP330C-ND
别名：FKP330C DK
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
型号：
TK20N60W,S1VF
仓库库存编号：
TK20N60WS1VF-ND
别名：TK20N60W,S1VF(S
TK20N60WS1VF
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT18F60B
仓库库存编号：
APT18F60B-ND
别名：APT18F60BMI
APT18F60BMI-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 415W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT23F60B
仓库库存编号：
APT23F60B-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 750W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH102N20T
仓库库存编号：
IXTH102N20T-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 130A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 750W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH130N15T
仓库库存编号：
IXTH130N15T-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH14N80P
仓库库存编号：
IXFH14N80P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 330W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N50P3
仓库库存编号：
IXFH16N50P3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA16N60P3
仓库库存编号：
IXFA16N60P3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250mW（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
SIHS20N50C-E3
仓库库存编号：
SIHS20N50C-E3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH22N60P
仓库库存编号：
IXFH22N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 320W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP18N60X
仓库库存编号：
IXFP18N60X-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH30N50P
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IXTH30N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH26N60P
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IXTH26N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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