规格：Vgs（最大值） ±30V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK8A60W,S4VX
仓库库存编号：
TK8A60WS4VX-ND
别名：TK8A60W,S4VX(M
TK8A60WS4VX
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK11A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK11A60D(STA4QM)-ND
别名：TK11A60D(STA4QM)
TK11A60DSTA4QM
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.1A
详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 2W（Ta），37W（Tc） TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
型号：
BFL4001-1E
仓库库存编号：
BFL4001-1E-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK13A50DA(STA4,Q,M
仓库库存编号：
TK13A50DA(STA4QM-ND
别名：TK13A50DA(STA4QM
TK13A50DASTA4QM
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 75W（Tc） TO-220 隔离的标片
型号：
IXTP14N60PM
仓库库存编号：
IXTP14N60PM-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 417W（Tc） TO-247
型号：
AOK22N50L
仓库库存编号：
AOK22N50L-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP7N80PM
仓库库存编号：
IXFP7N80PM-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF737LC
仓库库存编号：
IRF737LC-ND
别名：*IRF737LC
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP12N50P
仓库库存编号：
IXFP12N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP10N60P
仓库库存编号：
IXFP10N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP12N50PM
仓库库存编号：
IXFP12N50PM-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 56A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA56N15T
仓库库存编号：
IXTA56N15T-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 700mA（Tc） 25W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP05N100M
仓库库存编号：
IXTP05N100M-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 42A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP42N15T
仓库库存编号：
IXTP42N15T-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 750mA（Tc） 40W（Tc） TO-251
型号：
IXTU05N100
仓库库存编号：
IXTU05N100-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A DTMOSIV
详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220
型号：
TK16A60W,S4X
仓库库存编号：
TK16A60WS4X-ND
别名：TK16A60WS4X
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP12N50PM
仓库库存编号：
IXTP12N50PM-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP10N60PM
仓库库存编号：
IXTP10N60PM-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK12A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK12A55D(STA4QM)-ND
别名：TK12A55D(STA4QM)
TK12A55DSTA4QM
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK13A55DA(STA4,QM)
仓库库存编号：
TK13A55DA(STA4QM)-ND
别名：TK13A55DA(STA4QM)
TK13A55DASTA4QM
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830A
仓库库存编号：
IRF830A-ND
别名：*IRF830A
规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA8N50P3
仓库库存编号：
IXFA8N50P3-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 100W（Tc） LPTS
型号：
R5016ANJTL
仓库库存编号：
R5016ANJTL-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA10N60P
仓库库存编号：
IXTA10N60P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA12N50P
仓库库存编号：
IXFA12N50P-ND
规格：Vgs（最大值） ±30V,
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