产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Sharp Microelectronics
IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP
详细描述:FLASH 存储器 IC 32Mb (4M x 8,2M x 16) 并联 110ns 56-SSOP
型号:
LH28F320S3HNS-L11
仓库库存编号:
425-1845-ND
别名:425-1845
LHF32K03
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
含铅
搜索
STMicroelectronics
IC FLASH 128MBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH 存储器 IC 128Mb (8M x 8 x 2,4M x 16) 并联 110ns 56-TSOP
型号:
M30LW128D110N6
仓库库存编号:
497-1719-ND
别名:497-1719
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IC FLASH 128MBIT 110NS 64TBGA
详细描述:FLASH 存储器 IC 128Mb (8M x 8 x 2,4M x 16) 并联 110ns 64-TBGA(10x13)
型号:
M30LW128D110ZA6
仓库库存编号:
497-1720-ND
别名:497-1720
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
含铅
搜索
Sharp Microelectronics
IC FLASH 32MBIT 110NS 56SSOP
详细描述:FLASH 存储器 IC 32Mb (4M x 8,2M x 16) 并联 110ns 56-SSOP
型号:
LH28F320S3HNS-ZM
仓库库存编号:
425-2462-ND
别名:425-2462
LHF32KZM
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 40MHz 110ns 56-TSOP(14x20)
型号:
JS28F256P30TFA
仓库库存编号:
JS28F256P30TFA-ND
别名:902052
902052-ND
JS28F256P30TF 902052
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 40MHz 110ns 56-TSOP(14x20)
型号:
JS28F256P30BFA
仓库库存编号:
JS28F256P30BFA-ND
别名:898883
898883-ND
JS28F256P30BF 898883
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 40MHz 110ns 56-TSOP(14x20)
型号:
TE28F256P30TFA
仓库库存编号:
TE28F256P30TFA-ND
别名:902054
902054-ND
TE28F256P30TF 902054
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 256MBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 40MHz 110ns 56-TSOP(14x20)
型号:
TE28F256P30BFA
仓库库存编号:
TE28F256P30BFA-ND
别名:898886
898886-ND
TE28F256P30BF 898886
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb (128M x 8,64M x 16) 并联 110ns 56-TSOP(14x20)
型号:
JS28F00AM29EWH0
仓库库存编号:
JS28F00AM29EWH0-ND
别名:902240
902240-ND
JS28F00AM29EWH Q KW1
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb (128M x 8,64M x 16) 并联 110ns 56-TSOP(14x20)
型号:
JS28F00AM29EWL0
仓库库存编号:
JS28F00AM29EWL0-ND
别名:902241
902241-ND
JS28F00AM29EWL Q KW2
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 40MHz 110ns 56-TSOP(14x20)
型号:
JS28F00AP30EF0
仓库库存编号:
JS28F00AP30EF0-ND
别名:902487
902487-ND
JS28F00AP30EF Q LA1
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb (64M x 8,32M x 16) 并联 110ns 56-TSOP(14x20)
型号:
JS28F512M29EWH0
仓库库存编号:
JS28F512M29EWH0-ND
别名:902570
902570-ND
JS28F512M29EWH Q LB5
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb (64M x 8,32M x 16) 并联 110ns 56-TSOP(14x20)
型号:
JS28F512M29EWL0
仓库库存编号:
JS28F512M29EWL0-ND
别名:902571
902571-ND
JS28F512M29EWL Q LB6
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 40MHz 110ns 56-TSOP(14x20)
型号:
JS28F512P30EF0
仓库库存编号:
JS28F512P30EF0-ND
别名:902577
902577-ND
JS28F512P30EF Q LA8
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 40MHz 110ns 56-TSOP(14x20)
型号:
JS28F00AP30TFA
仓库库存编号:
JS28F00AP30TFA-ND
别名:904259
904259-ND
JS28F00AP30TF 904259
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Rohm Semiconductor
IC DRAM 16MBIT 60NS 26SOJ
详细描述:DRAM 存储器 IC 16Mb (4M x 4) 并联 30ns
型号:
MSM5117400F-60J3-7
仓库库存编号:
MSM5117400F-60J3-7-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Ramtron
IC FRAM 4MBIT 55NS 48FBGA
详细描述:FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 110ns 48-FBGA(6x8)
型号:
FM22LD16-55-BGTR
仓库库存编号:
1140-1031-1-ND
别名:1140-1031-1
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FRAM 2MBIT 60NS 48FBGA
详细描述:FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 2Mb (128K x 16) 并联 110ns 48-FBGA(6x8)
型号:
FM21LD16-60-BG
仓库库存编号:
428-3224-ND
别名:428-3224
FM21LD1660BG
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FRAM 2MBIT 60NS 44TSOP
详细描述:FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 2Mb (128K x 16) 并联 110ns 44-TSOP II
型号:
FM21L16-60-TGTR
仓库库存编号:
FM21L16-60-TGTRRA-ND
别名:FM21L16-60-TGTRRA
FM21L1660TGTR
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FRAM 2MBIT 60NS 48FBGA
详细描述:FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 2Mb (128K x 16) 并联 110ns 48-FBGA(6x8)
型号:
FM21LD16-60-BGTR
仓库库存编号:
FM21LD16-60-BGTRRA-ND
别名:FM21LD16-60-BGTRRA
FM21LD1660BGTR
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FRAM 2MBIT 60NS 44TSOP
详细描述:FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 2Mb (128K x 16) 并联 110ns 44-TSOP II
型号:
FM21L16-60-TG
仓库库存编号:
FM21L16-60-TGRA-ND
别名:FM21L16-60-TGRA
FM21L1660TG
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 110NS 64BGA
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 110ns 64 球加强型 BGA(13x11)
型号:
S29GL01GP11FAIR20
仓库库存编号:
1274-1148-ND
别名:S29GL01GP11FAIR20-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
含铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 110NS 64BGA
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 110ns 64 球加强型 BGA(13x11)
型号:
S29GL01GP11FFIR20
仓库库存编号:
S29GL01GP11FFIR20-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 110ns 56-TSOP
型号:
S29GL01GP11TFCR10
仓库库存编号:
S29GL01GP11TFCR10-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 1GBIT 110NS 56TSOP
详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 110ns 56-TSOP
型号:
S29GL01GP11TFIR10
仓库库存编号:
S29GL01GP11TFIR10-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 110ns,
无铅
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