产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 125MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 125MHz 7ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT48LC8M32LFB5-8 TR
仓库库存编号:
557-1104-1-ND
别名:557-1104-1
MT48LC8M32LFB5-8
MT48LC8M32LFB58TR
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM 存储器 IC 64Mb (8M x 8) 并联 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
型号:
MT48LC8M8A2TG-75:G TR
仓库库存编号:
557-1105-1-ND
别名:557-1105-1
MT48LC8M8A2TG-75:G
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 125MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 125MHz 7ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT48V8M32LFB5-8 IT TR
仓库库存编号:
557-1107-1-ND
别名:557-1107-1
MT48V8M32LFB5-8 IT
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 125MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 125MHz 7ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT48V8M32LFB5-8 TR
仓库库存编号:
557-1108-1-ND
别名:557-1108-1
MT48V8M32LFB5-8
MT48V8M32LFB58TR
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 133MHz 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
型号:
MT48LC8M16LFF4-75M IT:G
仓库库存编号:
MT48LC8M16LFF4-75M IT:G-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
型号:
MT48LC8M16LFTG-75M:G
仓库库存编号:
MT48LC8M16LFTG-75M:G-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
型号:
MT48LC8M16LFTG-75M:G TR
仓库库存编号:
MT48LC8M16LFTG-75M:G TR-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 104MHz 7.0ns 60-VFBGA(8x10)
型号:
MT46H8M16LFCF-10
仓库库存编号:
MT46H8M16LFCF-10-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 104MHz 7.0ns 60-VFBGA(8x10)
型号:
MT46H8M16LFCF-10 IT
仓库库存编号:
MT46H8M16LFCF-10 IT-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 104MHz 7.0ns 60-VFBGA(8x10)
型号:
MT46H8M16LFCF-10 IT TR
仓库库存编号:
MT46H8M16LFCF-10 IT TR-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 104MHz 7.0ns 60-VFBGA(8x10)
型号:
MT46H8M16LFCF-10 TR
仓库库存编号:
MT46H8M16LFCF-10 TR-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 133MHz 6.0ns 60-VFBGA(8x10)
型号:
MT46H8M16LFCF-75
仓库库存编号:
MT46H8M16LFCF-75-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 133MHz 6.0ns 60-VFBGA(8x10)
型号:
MT46H8M16LFCF-75 IT
仓库库存编号:
MT46H8M16LFCF-75 IT-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 200MHz 700ps 60-FBGA(10x12.5)
型号:
MT46V128M4BN-5B:F
仓库库存编号:
MT46V128M4BN-5B:F-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 200MHz 700ps 60-FBGA(10x12.5)
型号:
MT46V128M4BN-5B:F TR
仓库库存编号:
MT46V128M4BN-5B:F TR-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 167MHz 700ps 60-FBGA(10x12.5)
型号:
MT46V128M4BN-6:F
仓库库存编号:
MT46V128M4BN-6:F-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 167MHz 700ps 60-FBGA(10x12.5)
型号:
MT46V128M4BN-6:F TR
仓库库存编号:
MT46V128M4BN-6:F TR-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V128M4P-5B:F
仓库库存编号:
MT46V128M4P-5B:F-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V128M4P-5B:F TR
仓库库存编号:
MT46V128M4P-5B:F TR-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 167MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V128M4P-6T:F
仓库库存编号:
MT46V128M4P-6T:F-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 167MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V128M4P-6T:F TR
仓库库存编号:
MT46V128M4P-6T:F TR-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (128M x 4) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V128M4TG-5B:F
仓库库存编号:
MT46V128M4TG-5B:F-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 167MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V128M8P-6T:A
仓库库存编号:
MT46V128M8P-6T:A-ND
别名:MT46V128M8P-6TA
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 167MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V128M8P-6T:A TR
仓库库存编号:
MT46V128M8P-6T:A TR-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 133MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 133MHz 750ps 66-TSOP
型号:
MT46V128M8P-75:A
仓库库存编号:
MT46V128M8P-75:A-ND
产品分类:存储器,品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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