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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb （4M x 32） 并联 166MHz 5.5ns 90-TFBGA（8x13）
  
  型号：IS42VM32400G-6BL-TR
  仓库库存编号：IS42VM32400G-6BL-TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 133MHz 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS45VM16800E-75BLA1
  仓库库存编号：IS45VM16800E-75BLA1-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 133MHz 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS45VM16800E-75BLA1-TR
  仓库库存编号：IS45VM16800E-75BLA1-TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 133MHz 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS45VM16800E-75BLA2
  仓库库存编号：IS45VM16800E-75BLA2-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 54BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 133MHz 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
  
  型号：IS45VM16800E-75BLA2-TR
  仓库库存编号：IS45VM16800E-75BLA2-TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Maxim Integrated
  IC EEPROM 1KBIT 1WIRE 2SFN
  详细描述：EEPROM 存储器 IC 1Kb （256 x 4） 1-Wire? 2μs 2-SFN（6x6）
  
  型号：DS28E01G-100+T&R
  仓库库存编号：DS28E01G-100+T&R-ND
  别名：Q10181021
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 4GBIT 1.2GHZ 96BGA
  详细描述：SDRAM - DDR4 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 1.2GHz 96-BGA
  
  型号：IS43QR16256A-083RBL
  仓库库存编号：706-1473-ND
  别名：706-1473
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  IC SDRAM 4GBIT 1.2GHZ 96BGA
  详细描述：SDRAM - DDR4 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 1.2GHz 96-BGA
  
  型号：IS43QR16256A-083RBLI
  仓库库存编号：706-1474-ND
  别名：706-1474
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
  
  型号：MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR
  仓库库存编号：557-1672-1-ND
  别名：557-1672-1
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH LPDRAM VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb（512M x 8）（NAND），2G（64M x 32）（LPDRAM） 并联 208MHz
  
  型号：MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT
  仓库库存编号：MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH LPDRAM VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb（512M x 8）（NAND），2G（64M x 32）（LPDRAM） 并联 208MHz
  
  型号：MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR
  仓库库存编号：MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  MCP 4GX8 PLASTIC PBF WFBGA 3.3V
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb （4G x 8） MMC
  
  型号：MTFC4GMDEA-4M IT TR
  仓库库存编号：MTFC4GMDEA-4M IT TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC LPDDR2 SDRAM 1GBIT VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 400MHz 134-VFBGA（10x11.5）
  
  型号：MT42L16M32D1AC-25 IT:A
  仓库库存编号：MT42L16M32D1AC-25 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  LPDDR2 512M 32MX16 FBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 400MHz 121-FBGA（6.5x8）
  
  型号：MT42L32M16D1FE-25 IT:A
  仓库库存编号：MT42L32M16D1FE-25 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  LPDDR2 30NM
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 533MHz 168-FBGA（12x12）
  
  型号：MT42L64M32D1LF-18 IT:C
  仓库库存编号：MT42L64M32D1LF-18 IT:C-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  LPDDR2 30NM
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 533MHz
  
  型号：MT42L64M32D1TK-18 IT:C
  仓库库存编号：MT42L64M32D1TK-18 IT:C-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  LPDDR2 30NM
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 533MHz
  
  型号：MT42L64M32D1TK-18 AAT:C
  仓库库存编号：MT42L64M32D1TK-18 AAT:C-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  LPDDR2 30NM
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 4Gb （64M x 64） 并联 533MHz
  
  型号：MT42L64M64D2LL-18 WT:C
  仓库库存编号：MT42L64M64D2LL-18 WT:C-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  LPDDR2 30NM
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 4Gb （64M x 64） 并联 533MHz
  
  型号：MT42L64M64D2LL-18 IT:C
  仓库库存编号：MT42L64M64D2LL-18 IT:C-ND
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  1GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） SPI - 四 I/O 104MHz 155μs 8-WSON（6x8）
  
  型号：TC58CVG0S3HRAIG
  仓库库存编号：TC58CVG0S3HRAIG-ND
  别名：TC58CVG0S3HRAIGBAH
  TC58CVG0S3HRAIGYCJ
  
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  4GB SERIAL NAND 24NM WSON8 3.3V
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） SPI - 四 I/O 104MHz 280μs 8-WSON（6x8）
  
  型号：TC58CVG2S0HRAIG
  仓库库存编号：TC58CVG2S0HRAIG-ND
  别名：TC58CVG2S0HRAIGBAH
  TC58CVG2S0HRAIGY0J
  TC58CVG2S0HRAIGYCJ
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联
  
  型号：MT29F2G08ABAEAH4-E:E
  仓库库存编号：MT29F2G08ABAEAH4-E:E-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  1GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） SPI - 四 I/O 104MHz 155μs 16-SOP
  
  型号：TC58CVG0S3HQAIE
  仓库库存编号：TC58CVG0S3HQAIE-ND
  别名：TC58CVG0S3HQAIEY0J
  TC58CVG0S3HQAIEYCJ
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  4GB SERIAL NAND 24NM SOP16 3.3V
  详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） SPI - 四 I/O 104MHz 280μs 16-SOP
  
  型号：TC58CVG2S0HQAIE
  仓库库存编号：TC58CVG2S0HQAIE-ND
  别名：TC58CVG2S0HQAIEY0J
  TC58CVG2S0HQAIEYCJ
  
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• NXP USA Inc.
  IC CAM 1MBIT 50MHZ 100TQFP
  详细描述：CAM 存储器 IC 1Mb （16K x 64） 并联 50MHz 100-TQFP（14x20）
  
  型号：MCM69C432TQ20
  仓库库存编号：MCM69C432TQ20-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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