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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 216FBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 4Gb （64M x 64） 并联 400MHz 216-FBGA（12x12）
  
  型号：MT42L64M64D2KH-25 IT:A
  仓库库存编号：MT42L64M64D2KH-25 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 4GBIT 333MHZ 216FBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 4Gb （64M x 64） 并联 333MHz 216-FBGA（12x12）
  
  型号：MT42L64M64D2KH-3 IT:A
  仓库库存编号：MT42L64M64D2KH-3 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 4GBIT 333MHZ 240FBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 4Gb （64M x 64） 并联 333MHz 240-FBGA（14x14）
  
  型号：MT42L64M64D2MC-3 IT:A
  仓库库存编号：MT42L64M64D2MC-3 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 4GBIT 400MHZ 220FBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 4Gb （64M x 64） 并联 400MHz 220-FBGA（14x14）
  
  型号：MT42L64M64D2MP-25 IT:A
  仓库库存编号：MT42L64M64D2MP-25 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H16M18SJ-25:B
  仓库库存编号：557-1587-ND
  别名：557-1587
  MT49H16M18BM-25:B
  MT49H16M18BM-25:B-ND
  MT49H16M18BM-33:B
  MT49H16M18BM-33:B-ND
  MT49H16M18SJ-25:B-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H16M18FM-25:B
  仓库库存编号：MT49H16M18FM-25:B-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 533MHz 15ns 144-μBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H16M36BM-18:B
  仓库库存编号：MT49H16M36BM-18:B-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H16M36BM-25:B
  仓库库存编号：MT49H16M36BM-25:B-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 533MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 533MHz 15ns 144-μBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H16M36FM-18:B
  仓库库存编号：MT49H16M36FM-18:B-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H16M36FM-25:B
  仓库库存编号：MT49H16M36FM-25:B-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （16M x 36） 并联 400MHz 15ns 144-μBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H16M36FM-25E:B
  仓库库存编号：MT49H16M36FM-25E:B-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 400MHz 15ns 144-μBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H32M18BM-25E:B
  仓库库存编号：MT49H32M18BM-25E:B-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H32M18FM-25:B
  仓库库存编号：MT49H32M18FM-25:B-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 576MBIT 400MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 576Mb （32M x 18） 并联 400MHz 15ns 144-μBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H32M18FM-25E:B
  仓库库存编号：MT49H32M18FM-25E:B-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （8M x 36） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H8M36BM-25:B
  仓库库存编号：MT49H8M36BM-25:B-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
  详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （8M x 36） 并联 400MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
  
  型号：MT49H8M36FM-25:B
  仓库库存编号：MT49H8M36FM-25:B-ND
  
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 16MBIT 166MHZ 50TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 166MHz 5ns 50-TSOP II
  
  型号：W9816G6IH-6
  仓库库存编号：W9816G6IH-6-ND
  别名：W9816G6IH6
  
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 16MBIT 166MHZ 50TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 166MHz 5ns 50-TSOP II
  
  型号：W9816G6IH-6I
  仓库库存编号：W9816G6IH-6I-ND
  别名：W9816G6IH6I
  
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC NVSRAM 64KBIT 3.4MHZ 8SOIC
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） I2C 3.4MHz 8-SOIC
  
  型号：CY14MB064J2-SXI
  仓库库存编号：428-3283-5-ND
  别名：428-3283-5
  CY14MB064J2-SXI-ND
  CY14MB064J2SXI
  
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 144MBIT 300MHZ 165FBGA
  详细描述：SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 144Mb （8M x 18） 并联 300MHz 165-FBGA（15x17）
  
  型号：CY7C1612KV18-300BZC
  仓库库存编号：CY7C1612KV18-300BZC-ND
  别名：CY7C1612KV18300BZC
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Rohm Semiconductor
  IC FRAM 64KBIT 3.4MHZ 8SOP
  详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） I2C 3.4MHz 130ns 8-SOP
  
  型号：MR44V064AMAZAAB
  仓库库存编号：MR44V064AMAZAABCT-ND
  别名：MR44V064AMAZAABCT
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 64MBIT 166MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 166MHz 5ns 54-TSOP II
  
  型号：W9864G6JH-6I
  仓库库存编号：W9864G6JH-6I-ND
  别名：W9864G6JH6I
  
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 166MHz 5ns 54-TSOP II
  
  型号：W9812G6JH-6I
  仓库库存编号：W9812G6JH-6I-ND
  别名：W9812G6JH6I
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 166MHz 5ns 54-TSOP II
  
  型号：W9825G6JH-6I
  仓库库存编号：W9825G6JH-6I-ND
  别名：W9825G6JH6I
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 36MBIT 600MHZ 165FBGA
  详细描述：SRAM - 同步，QDR II+ 存储器 IC 36Mb （2M x 18） 并联 600MHz 165-FBGA（13x15）
  
  型号：CY7C1263XV18-600BZXC
  仓库库存编号：CY7C1263XV18-600BZXC-ND
  别名：CY7C1263XV18600BZXC
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 -,
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