产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 533MHz 13.125ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41J256M8HX-187E:D
仓库库存编号:
MT41J256M8HX-187E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41J512M4HX-125:D
仓库库存编号:
MT41J512M4HX-125:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 667MHz 13.5ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41J512M4HX-15E:D
仓库库存编号:
MT41J512M4HX-15E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 533MHz 13.125ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41J512M4HX-187E:D
仓库库存编号:
MT41J512M4HX-187E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 667MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 667MHz 13.5ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41J512M8THD-15E:D
仓库库存编号:
MT41J512M8THD-15E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 800MHz 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41J64M16JT-125:G
仓库库存编号:
557-1628-ND
别名:557-1628
MT41J64M16JT-125:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 667MHz 13.5ns 96-FBGA(9x14)
型号:
MT41K128M16HA-15E:D
仓库库存编号:
MT41K128M16HA-15E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 533MHz 13.125ns 96-FBGA(9x14)
型号:
MT41K128M16HA-187E:D
仓库库存编号:
MT41K128M16HA-187E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 667MHz 13.5ns 78-FBGA(8x11.5)
型号:
MT41K256M4JP-15E:G
仓库库存编号:
MT41K256M4JP-15E:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 667MHz 13.5ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41K256M8HX-15E:D
仓库库存编号:
MT41K256M8HX-15E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 533MHz 13.125ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41K256M8HX-187E:D
仓库库存编号:
MT41K256M8HX-187E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 667MHz 13.5ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41K512M4HX-15E:D
仓库库存编号:
MT41K512M4HX-15E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 533MHz 13.125ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41K512M4HX-187E:D
仓库库存编号:
MT41K512M4HX-187E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 78BGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 4Gb (512M x 8) 并联 533MHz 13.125ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41J512M8THD-187E:D
仓库库存编号:
MT41J512M8THD-187E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 533MHz 96-FBGA(8x14)
型号:
MT41J64M16JT-187E:G
仓库库存编号:
MT41J64M16JT-187E:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 667MHz 13.5ns 96-FBGA(9x14)
型号:
MT41K128M16HA-15E IT:D
仓库库存编号:
MT41K128M16HA-15E IT:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 667MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 4Gb (1G x 4) 并联 667MHz 13.5ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41K1G4THD-15E:D
仓库库存编号:
MT41K1G4THD-15E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 533MHZ 78BGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 4Gb (1G x 4) 并联 533MHz 13.125ns 78-FBGA(9x11.5)
型号:
MT41K1G4THD-187E:D
仓库库存编号:
MT41K1G4THD-187E:D-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 800MHz 13.75ns 78-FBGA(8x11.5)
型号:
MT41K256M4JP-125:G
仓库库存编号:
MT41K256M4JP-125:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II+ 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 400MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1150KV18-400BZXC
仓库库存编号:
CY7C1150KV18-400BZXC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II+ 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 400MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1170KV18-400BZXC
仓库库存编号:
CY7C1170KV18-400BZXC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 36MBIT 500MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 36Mb (2M x 18) 并联 500MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1263KV18-500BZXC
仓库库存编号:
CY7C1263KV18-500BZXC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 300MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1315KV18-300BZXC
仓库库存编号:
CY7C1315KV18-300BZXC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 18Mb (512K x 36) 并联 300MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1320KV18-300BZXC
仓库库存编号:
CY7C1320KV18-300BZXC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA
详细描述:SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb (2M x 9) 并联 250MHz 165-FBGA(13x15)
型号:
CY7C1911KV18-250BZXC
仓库库存编号:
CY7C1911KV18-250BZXC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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