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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（8x12.5）
  
  型号：W971GG6KB25I
  仓库库存编号：W971GG6KB25I-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（8x12.5）
  
  型号：W971GG8KB-25
  仓库库存编号：W971GG8KB-25-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（8x12.5）
  
  型号：W971GG8KB25I
  仓库库存编号：W971GG8KB25I-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 200MHz 5ns 54-TSOP II
  
  型号：W9864G6JH-5
  仓库库存编号：W9864G6JH-5-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（11x13）
  
  型号：W972GG6JB-25
  仓库库存编号：W972GG6JB-25-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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  无铅
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（11x13）
  
  型号：W972GG6JB25I
  仓库库存编号：W972GG6JB25I-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60WBGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（11x11.5）
  
  型号：W972GG8JB-25
  仓库库存编号：W972GG8JB-25-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 54TSOP
  详细描述：SDRAM 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 200MHz 4.5ns 54-TSOP II
  
  型号：W9812G6JH-5
  仓库库存编号：W9812G6JH-5-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA
  详细描述：SRAM - 双端口，同步 存储器 IC 2Mb （64K x 36） 并联 200MHz 3.3ns 256-FBGA（17x17）
  
  型号：CYD02S36V18-200BBXC
  仓库库存编号：CYD02S36V18-200BBXC-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Alliance Memory, Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
  详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
  
  型号：AS4C16M16D1-5TCN
  仓库库存编号：1450-1000-ND
  别名：1450-1000
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Alliance Memory, Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
  详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
  
  型号：AS4C32M16D1-5TCN
  仓库库存编号：1450-1006-ND
  别名：1450-1006
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Alliance Memory, Inc.
  IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
  详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
  
  型号：AS4C4M16D1-5TCN
  仓库库存编号：1450-1007-ND
  别名：1450-1007
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Alliance Memory, Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP
  详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
  
  型号：AS4C8M16D1-5TCN
  仓库库存编号：1450-1012-ND
  别名：1450-1012
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（8x12.5）
  
  型号：W971GG8JB25I
  仓库库存编号：W971GG8JB25I-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Winbond Electronics
  IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60WBGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（11x11.5）
  
  型号：W972GG8JB25I
  仓库库存编号：W972GG8JB25I-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH/LPDRAM 1.5GBIT 130VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb （64M x 16）（NAND），512Mb （32M x 16）（LPDRAM） 并联 200MHz 130-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR
  仓库库存编号：MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH/LPDRAM 1.5GBIT 130VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb （128M x 8）（NAND），512Mb （32M x 16）（LPDRAM） 并联 200MHz 130-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR
  仓库库存编号：MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH/LPDRAM 1.5GBIT 137TFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb （128M x 8）（NAND），512Mb （16M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 137-TFBGA（10.5x13）
  
  型号：MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR
  仓库库存编号：MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH/LPDRAM 1.5GBIT 130VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb （128M x 8）（NAND），512Mb （16M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 130-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR
  仓库库存编号：MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH/LPDRAM 1.5GBIT 130VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb （64M x 16）（NAND），512Mb （32M x 16）（LPDRAM） 并联 200MHz 130-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR
  仓库库存编号：MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH/LPDRAM 1.5GBIT 130VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb （64M x 16）（NAND），512Mb （32M x 16）（LPDRAM） 并联 200MHz 130-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR
  仓库库存编号：MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH/LPDRAM 1.5GBIT 137TFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb （64M x 16）（NAND），512Mb （16M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 137-TFBGA（10.5x13）
  
  型号：MT29C1G12MAADYAKD-5 IT TR
  仓库库存编号：MT29C1G12MAADYAKD-5 IT TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH/LPDRAM 1.5GBIT 137TFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb （128M x 8）（NAND），512Mb （16M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 137-TFBGA（10.5x13）
  
  型号：MT29C1G12MAADYAKE-5 IT TR
  仓库库存编号：MT29C1G12MAADYAKE-5 IT TR-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH/LPDRAM 1.5GBIT 130VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb （64M x 16）（NAND），512Mb （16M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 130-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR
  仓库库存编号：MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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• Micron Technology Inc.
  IC FLASH/LPDRAM 1.5GBIT 130VFBGA
  详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb （128M x 8）（NAND），512Mb （16M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 130-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR
  仓库库存编号：MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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