产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 74A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW40N65F5AXKSA1
仓库库存编号:
IGW40N65F5AXKSA1-ND
别名:SP001187504
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 74A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW40N65H5AXKSA1
仓库库存编号:
IGW40N65H5AXKSA1-ND
别名:SP001187510
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW50N65F5AXKSA1
仓库库存编号:
IGW50N65F5AXKSA1-ND
别名:SP001187514
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW50N65H5AXKSA1
仓库库存编号:
IGW50N65H5AXKSA1-ND
别名:SP001187520
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 74A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW40N65F5AXKSA1
仓库库存编号:
IKW40N65F5AXKSA1-ND
别名:SP001187508
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 74A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW40N65H5AXKSA1
仓库库存编号:
IKW40N65H5AXKSA1-ND
别名:SP001187512
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 90A 300W TO-247
详细描述:IGBT 650V 90A 300W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4263-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4263-EPBF-ND
别名:SP001536290
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 395W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IKZ75N65ES5XKSA1
仓库库存编号:
IKZ75N65ES5XKSA1-ND
别名:SP001602592
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW50N65F5AXKSA1
仓库库存编号:
IKW50N65F5AXKSA1-ND
别名:SP001187518
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW50N65H5AXKSA1
仓库库存编号:
IKW50N65H5AXKSA1-ND
别名:SP001187522
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO-247
详细描述:IGBT 650V 140A 455W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4790D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4790D-EPBF-ND
别名:SP001542360
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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IXYS
IGBT 650V 290A 940W TO264
详细描述:IGBT PT 650V 290A 940W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号:
IXXK160N65C4
仓库库存编号:
IXXK160N65C4-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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IXYS
IGBT 650V 290A 940W PLUS247
详细描述:IGBT PT 650V 290A 940W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXXX160N65C4
仓库库存编号:
IXXX160N65C4-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Microsemi Corporation
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详细描述:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227
型号:
APT95GR65JDU60
仓库库存编号:
APT95GR65JDU60-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 90A 300W TO-247
详细描述:IGBT 650V 90A 300W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4263PBF
仓库库存编号:
IRGP4263PBF-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 140A 450W TO247AD
详细描述:IGBT 650V 140A 450W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4266-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4266-EPBF-ND
别名:SP001549758
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 140A 450W TO247AC
详细描述:IGBT 650V 140A 450W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4266PBF
仓库库存编号:
IRGP4266PBF-ND
别名:SP001548110
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 140A 455W TO247AD
详细描述:IGBT 650V 140A 455W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4266D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4266D-EPBF-ND
别名:63-6028PBF
63-6028PBF-ND
SP001540782
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 60A 250W TO247AC
详细描述:IGBT 650V 60A 250W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4262D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4262D-EPBF-ND
别名:SP001549768
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 60A 250W TO247AC
详细描述:IGBT 650V 60A 250W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4262DPBF
仓库库存编号:
IRGP4262DPBF-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 90A 325W TO-247
详细描述:IGBT 650V 90A 325W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4263D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4263D-EPBF-ND
别名:63-6029PBF
63-6029PBF-ND
SP001545030
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V 70A 273W TO247AD
详细描述:IGBT 650V 70A 273W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4750D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4750D-EPBF-ND
别名:SP001545016
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO-220AB
详细描述:IGBT 650V 21A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGB4715DPBF
仓库库存编号:
IRGB4715DPBF-ND
别名:SP001541638
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO-247
详细描述:IGBT 650V 60A 250W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4740D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4740D-EPBF-ND
别名:SP001549744
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO-247
详细描述:IGBT 650V 60A 250W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4740DPBF
仓库库存编号:
IRGP4740DPBF-ND
别名:SP001535780
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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