产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
详细描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW03N120H2FKSA1
仓库库存编号:
IGW03N120H2FKSA1-ND
别名:IGW03N120H2
IGW03N120H2-ND
SP000014182
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 30A 198W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
SGB15N120ATMA1
仓库库存编号:
SGB15N120ATMA1TR-ND
别名:SGB15N120
SGB15N120-ND
SP000012560
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO220-3
型号:
SGP15N120XKSA1
仓库库存编号:
SGP15N120XKSA1-ND
别名:SGP15N120
SGP15N120-ND
SP000683122
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT 1200V 25A Surface Mount Die
型号:
IRG7CH44K10EF
仓库库存编号:
IRG7CH44K10EF-ND
别名:SP001537324
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 100A DIE
详细描述:IGBT 1200V
型号:
IRG8CH37K10F
仓库库存编号:
IRG8CH37K10F-ND
别名:SP001532998
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 30A 110W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW15T120FKSA1
仓库库存编号:
IKW15T120FKSA1-ND
别名:IKW15T120
IKW15T120-ND
SP000013938
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 35A Surface Mount Die
型号:
IRG7CH50K10EF
仓库库存编号:
IRG7CH50K10EF-ND
别名:SP001532664
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 141A 543W TO-220
详细描述:IGBT 1200V 141A 543W Through Hole SUPER-220? (TO-273AA)
型号:
AUIRGDC0250
仓库库存编号:
AUIRGDC0250-ND
别名:SP001511678
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 41A 160W TO247-3
详细描述:IGBT 1200V 41A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH40UD-EPBF
仓库库存编号:
IRG4PH40UD-EPBF-ND
别名:*IRG4PH40UD-EPBF
IRG4PH40UDEPBF
SP001537194
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50KPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50KPBF-ND
别名:*IRG4PH50KPBF
SP001541998
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A COPAK247
详细描述:IGBT Trench 1200V 50A 180W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH35UD-EP
仓库库存编号:
IRG7PH35UD-EP-ND
别名:SP001548020
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT 1200V 50A Surface Mount Die
型号:
IRG8CH50K10F
仓库库存编号:
IRG8CH50K10F-ND
别名:SP001536162
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 90A 385W TO247AD
详细描述:IGBT Trench 1200V 90A 385W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH42U-EP
仓库库存编号:
IRG7PH42U-EP-ND
别名:IRG7PH42UEP
SP001541464
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
详细描述:IGBT 1200V Surface Mount Die
型号:
IRG7CH54K10EF-R
仓库库存编号:
IRG7CH54K10EF-R-ND
别名:IRG7CH54K10EF
IRG7CH54K10EF-ND
SP001542088
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT HS SW 1200V 40A TO-247-3
详细描述:IGBT 1200V 80A 500W Through Hole PG-TO247-3-46
型号:
IKQ40N120CH3XKSA1
仓库库存编号:
IKQ40N120CH3XKSA1-ND
别名:SP001272706
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT HS SW 1200V 40A TO-247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 500W Through Hole PG-TO247-3-46
型号:
IKQ40N120CT2XKSA1
仓库库存编号:
IKQ40N120CT2XKSA1-ND
别名:SP001272732
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 60A 300W TO247AC
详细描述:IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP30B120KDPBF
仓库库存编号:
IRGP30B120KDPBF-ND
别名:SP001546224
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A TO247-4
详细描述:IGBT 1200V 80A 500W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IKY40N120CH3XKSA1
仓库库存编号:
IKY40N120CH3XKSA1-ND
别名:SP001465124
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT 1200V 75A Surface Mount Die
型号:
IRG8CH76K10F
仓库库存编号:
IRG8CH76K10F-ND
别名:SP001545838
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 120A 520W TO274AA
详细描述:IGBT 1200V 120A 520W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG7PSH54K10DPBF
仓库库存编号:
IRG7PSH54K10DPBF-ND
别名:SP001545858
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT HS SW 1200V 50A TO-247-3
详细描述:IGBT 1200V 100A 652W Through Hole PG-TO247-3-46
型号:
IKQ50N120CH3XKSA1
仓库库存编号:
IKQ50N120CH3XKSA1-ND
别名:SP001272708
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT HS SW 1200V 50A TO-247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 100A 652W Through Hole PG-TO247-3-46
型号:
IKQ50N120CT2XKSA1
仓库库存编号:
IKQ50N120CT2XKSA1-ND
别名:SP001272736
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 100A TO247-4
详细描述:IGBT 1200V 100A 652W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IKY50N120CH3XKSA1
仓库库存编号:
IKY50N120CH3XKSA1-ND
别名:SP001465126
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 100A DIE
详细描述:IGBT 1200V Surface Mount Die
型号:
IRG8CH97K10F
仓库库存编号:
IRG8CH97K10F-ND
别名:SP001547962
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT HS SW 1200V 75A TO-247-3
详细描述:IGBT 1200V 150A 938W Through Hole PG-TO247-3-46
型号:
IKQ75N120CH3XKSA1
仓库库存编号:
IKQ75N120CH3XKSA1-ND
别名:SP001220142
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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