产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 77W DPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 12A 77W Surface Mount TO-252AA
型号:
AUIRGR4045DTRL
仓库库存编号:
AUIRGR4045DTRL-ND
别名:SP001511556
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 99W TO220AB
详细描述:IGBT Trench 600V 16A 99W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGB4060DPBF
仓库库存编号:
IRGB4060DPBF-ND
别名:SP001533960
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 39W TO220FP
详细描述:IGBT NPT 600V 12A 39W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号:
IRGIB7B60KDPBF
仓库库存编号:
IRGIB7B60KDPBF-ND
别名:*IRGIB7B60KDPBF
SP001536318
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench 600V 8A Surface Mount Die
型号:
IRGC4056B
仓库库存编号:
IRGC4056B-ND
别名:SP001549584
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench 600V 8A Surface Mount Die
型号:
IRGC4060B
仓库库存编号:
IRGC4060B-ND
别名:SP001541602
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W D2PAK
详细描述:IGBT NPT 600V 13A 90W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS6B60KDTRLP
仓库库存编号:
IRGS6B60KDTRLPCT-ND
别名:IRGS6B60KDTRLPCT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 63W TO262
详细描述:IGBT NPT 600V 11A 63W Through Hole TO-262
型号:
IRGSL4B60KD1PBF
仓库库存编号:
IRGSL4B60KD1PBF-ND
别名:*IRGSL4B60KD1PBF
SP001548286
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 170W TO220-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 170W Through Hole PG-TO220-3
型号:
IGP20N60H3XKSA1
仓库库存编号:
IGP20N60H3XKSA1-ND
别名:IGP20N60H3
IGP20N60H3-ND
SP000702544
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 170W TO263-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 170W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
IKB20N60H3ATMA1
仓库库存编号:
IKB20N60H3ATMA1TR-ND
别名:IKB20N60H3
IKB20N60H3-ND
SP000852234
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 170W TO220-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 170W Through Hole PG-TO-220-3
型号:
IKP20N60H3
仓库库存编号:
IKP20N60H3-ND
别名:IKP20N60H3XKSA1
SP000852236
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2
详细描述:IGBT Trench 600V 60A 187W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号:
IGB30N60TATMA1
仓库库存编号:
IGB30N60TATMA1TR-ND
别名:IGB30N60T
IGB30N60T-ND
SP000095765
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 49W TO262
详细描述:IGBT 600V 14A 49W Through Hole TO-262
型号:
IRG4BC15UD-LPBF
仓库库存编号:
IRG4BC15UD-LPBF-ND
别名:*IRG4BC15UD-LPBF
SP001535612
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 90W TO262
详细描述:IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-262
型号:
IRGSL6B60KDPBF
仓库库存编号:
IRGSL6B60KDPBF-ND
别名:*IRGSL6B60KDPBF
63-2008PBF
63-2008PBF-ND
SP001540950
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 38W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC10SD-SPBF
仓库库存编号:
IRG4BC10SD-SPBF-ND
别名:*IRG4BC10SD-SPBF
SP001532504
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 22A 156W TO220AB
详细描述:IGBT NPT 600V 22A 156W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGB10B60KDPBF
仓库库存编号:
IRGB10B60KDPBF-ND
别名:*IRGB10B60KDPBF
SP001542270
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 166W TO263-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 166W Surface Mount PG-TO-263
型号:
IKB20N60TATMA1
仓库库存编号:
IKB20N60TATMA1TR-ND
别名:IKB20N60T
IKB20N60T-ND
SP000054883
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC30W-STRLP
仓库库存编号:
IRG4BC30W-STRLPCT-ND
别名:IRG4BC30W-STRLPCT
IRG4BC30WSTRLP
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 58W DPAK
详细描述:IGBT 600V 11A 58W Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
型号:
IRGR4607DTRPBF
仓库库存编号:
IRGR4607DTRPBFCT-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC30KPBF
仓库库存编号:
IRG4BC30KPBF-ND
别名:*IRG4BC30KPBF
SP001541942
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 42A 160W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 42A 160W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC40KPBF
仓库库存编号:
IRG4BC40KPBF-ND
别名:*IRG4BC40KPBF
SP001535642
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 14A 49W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 14A 49W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC15UDSTRLP
仓库库存编号:
IRG4BC15UDSTRLP-ND
别名:SP001535854
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
DIODE 600V IGBT
详细描述:IGBT Trench 600V 12A 77W Through Hole I-Pak
型号:
AUIRGU4045D
仓库库存编号:
AUIRGU4045D-ND
别名:SP001511536
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述:IGBT Trench 600V 18A Surface Mount Die
型号:
IRGC4061B
仓库库存编号:
IRGC4061B-ND
别名:SP001537828
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 78A 370W TO262
详细描述:IGBT NPT 600V 78A 370W Through Hole TO-262
型号:
IRGSL30B60KPBF
仓库库存编号:
IRGSL30B60KPBF-ND
别名:SP001541980
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20UD-SPBF
仓库库存编号:
IRG4BC20UD-SPBF-ND
别名:*IRG4BC20UD-SPBF
SP001535986
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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