产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Vishay Semiconductor Diodes Division (2)
Vishay Siliconix (216)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 17A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRL640S
仓库库存编号:
IRL640S-ND
别名:*IRL640S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI620G
仓库库存编号:
IRLI620G-ND
别名:*IRLI620G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.2A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI630G
仓库库存编号:
IRLI630G-ND
别名:*IRLI630G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9.9A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI640G
仓库库存编号:
IRLI640G-ND
别名:*IRLI640G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.1A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9640G
仓库库存编号:
IRFI9640G-ND
别名:*IRFI9640G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) TO-262
型号:
IRF610L
仓库库存编号:
IRF610L-ND
别名:*IRF610L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRL
仓库库存编号:
IRF610STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 3.3A(Tc) 3W(Ta),36W(Tc) D2PAK
型号:
IRF610STRR
仓库库存编号:
IRF610STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRF620L
仓库库存编号:
IRF620L-ND
别名:*IRF620L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620STRL
仓库库存编号:
IRF620STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 3W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF620STRR
仓库库存编号:
IRF620STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF630L
仓库库存编号:
IRF630L-ND
别名:*IRF630L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRL
仓库库存编号:
IRF630STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
IRF630STRR
仓库库存编号:
IRF630STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) I2PAK
型号:
IRF640L
仓库库存编号:
IRF640L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640STRL
仓库库存编号:
IRF640STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640STRR
仓库库存编号:
IRF640STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 1.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9610L
仓库库存编号:
IRF9610L-ND
别名:*IRF9610L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610STRL
仓库库存编号:
IRF9610STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610STRR
仓库库存编号:
IRF9610STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9620L
仓库库存编号:
IRF9620L-ND
别名:*IRF9620L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 3.5A(Tc) 3W(Ta),40W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9620STRL
仓库库存编号:
IRF9620STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 3.5A(Tc) 3W(Ta),40W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9620STRR
仓库库存编号:
IRF9620STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9630L
仓库库存编号:
IRF9630L-ND
别名:*IRF9630L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630STRL
仓库库存编号:
IRF9630STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 200V,
含铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号