产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD105N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD105N03LGINCT
IPD105N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP114N03L G
仓库库存编号:
IPP114N03LGIN-ND
别名:IPP114N03LGIN
IPP114N03LGXK
SP000264168
SP000680862
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS105N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS105N03LGAKMA1-ND
别名:IPS105N03L G
IPS105N03LG
IPS105N03LGIN
IPS105N03LGIN-ND
IPS105N03LGXK
SP000264172
SP000788218
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU105N03L G
仓库库存编号:
IPU105N03LGIN-ND
别名:IPU105N03LGIN
IPU105N03LGXK
SP000271466
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB114N03L G
仓库库存编号:
IPB114N03L G-ND
别名:SP000304102
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 11A(Tc) 38W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR9024N
仓库库存编号:
AUIRFR9024N-ND
别名:SP001521726
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
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