产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 23A(Tc) 390W(Tc) SP1
型号:
APTM100SK33T1G
仓库库存编号:
APTM100SK33T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 60A(Tc) 590W(Tc) TO-240AA
型号:
VMO60-05F
仓库库存编号:
VMO60-05F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 59A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 58A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT58M50JCU2
仓库库存编号:
APT58M50JCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCU2
仓库库存编号:
APT33N90JCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCU3
仓库库存编号:
APT33N90JCU3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 50A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT50N60JCCU2
仓库库存编号:
APT50N60JCCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 26A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT26M100JCU2
仓库库存编号:
APT26M100JCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 26A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT26M100JCU3
仓库库存编号:
APT26M100JCU3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 20A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT20M120JCU2
仓库库存编号:
APT20M120JCU2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 20A(Tc) 543W(Tc) SOT-227
型号:
APT20M120JCU3
仓库库存编号:
APT20M120JCU3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 41A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE48N50QD2
仓库库存编号:
IXFE48N50QD2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 41A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE48N50QD3
仓库库存编号:
IXFE48N50QD3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 39A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE44N50QD2
仓库库存编号:
IXFE44N50QD2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 39A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE44N50QD3
仓库库存编号:
IXFE44N50QD3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 33A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT33N90JCCU2
仓库库存编号:
APT33N90JCCU2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 72A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE80N50
仓库库存编号:
IXFE80N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 31A(Tc) 657W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA30T1G
仓库库存编号:
APTM120DA30T1G-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60DAM24T1G
仓库库存编号:
APTC60DAM24T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 109A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 109A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML20UM18R010T1AG
仓库库存编号:
APTML20UM18R010T1AG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 154A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 154A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML10UM09R004T1AG
仓库库存编号:
APTML10UM09R004T1AG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90SKM60T1G
仓库库存编号:
APTC90SKM60T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC90DAM60T1G
仓库库存编号:
APTC90DAM60T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 34A(Tc) 580W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE39N90
仓库库存编号:
IXFE39N90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 31A(Tc) 657W(Tc) SP1
型号:
APTM120DA30CT1G
仓库库存编号:
APTM120DA30CT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 600V 95A(Tc) 462W(Tc) SP1
型号:
APTC60SKM24CT1G
仓库库存编号:
APTC60SKM24CT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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